[发明专利]用于制备具有对称晶界的硅锭的方法

权利要求书

1.一种用于制造具有对称晶界(6)的硅锭(5)的方法，其至少包括由以下组成 的步骤：

(i)提供具有纵向轴线(Z)的坩埚(1)，其底部包括由具有正方形或长方形底部 的直块形状的单晶硅晶种(2)形成的铺面；所述单晶硅晶种(2)被连续放置，沿着 轴线(Z)看到的所述铺面呈具有平行于晶种边缘的正交方向(x)和(y)的网格形式； 和

(ⅱ)通过在与轴线(Z)共线的生长方向的在晶种上的再生长进行硅的定向凝 固；

其特征在于，步骤(i)中的所述铺面由相同的硅晶种制备，其中沿着方向(x) 的两个相邻晶种通过轴线(y)上的翻转互为映像且沿着方向(y)的两个相邻晶种通 过轴线(x)上的翻转互为映像，且两个相邻晶种的晶格之间的取向差2θ大于4°。

2.如权利要求1中所述的方法，其中晶种(2)沿轴线(Z)的厚度大于或等于5 mm。

3.如权利要求1或2中所述的方法，其中两个相邻晶种的晶格之间的取向 差2θ大于或等于5°，且更特别是6°-45°。

4.如前述权利要求任一项中所述的方法，其中晶种的晶格具有与轴线(Z) 共线的方向，特别是<100>方向。

5.如前述权利要求任一项中所述的方法，其中所述晶种(2)来源于Cz硅锭 (10)；或来源于根据权利要求1中所述方法形成的锭的回收，特别是通过水平切 片的部分或完全提取，或通过垂直切片的部分提取。

6.具有对称晶界(6)的硅锭(5)，根据权利要求1至5任一项所述的方法获得。

7.如权利要求6中所述的锭，具有沿着生长轴线(Z)测量的大于或等于100 mm，特别是从180至800mm范围的高度。

8.一种用于制造无晶界的单晶硅晶片的方法，其包括通过沿平面P的切割 将权利要求6或7中限定的硅锭(5)切割成砖形物的步骤(iii)。

9.如前述权利要求中所述的方法，其中所述切割使用切割线(8)或带锯进行。