[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法有效
申请号: | 201480038871.0 | 申请日: | 2014-07-03 |
公开(公告)号: | CN105379428B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 丸山幸儿;堀口将人;松木哲理;舆石公 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳,王雪燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:
形成处理空间的处理容器;
载置被处理体的载置台,其配置于所述处理空间;
电介质部件,其以封闭所述处理空间的方式安装于处理容器,形成有内部空间和使该内部空间与所述处理空间连通的连通孔;
第一电极和第二电极,其形成于所述电介质部件内,隔着所述内部空间相对;
第一气体供给机构,其将用于等离子体处理的第一处理气体供给到所述内部空间;
第一高频电源,其通过将第一高频电力供给到所述第一电极和所述第二电极,生成供给到所述内部空间的所述第一处理气体的第一等离子体;
电力分配器,其将从所述第一高频电源输入的所述第一高频电力分成第一分配电力和第二分配电力,并将所述第一分配电力和所述第二分配电力分别分配到所述第一电极和所述第二电极;
减压机构,其通过对所述处理空间进行减压,将所述第一等离子体中的自由基和所述第一处理气体从所述内部空间经由所述连通孔导入至所述处理空间;
第二高频电源,其通过对所述载置台供给第二高频电力,生成导入至所述处理空间的所述第一处理气体的第二等离子体,并将该第二等离子体中的离子引入至所述被处理体;和
控制部,其通过控制供给到所述第一电极的所述第一分配电力和供给到所述第二电极的所述第二分配电力的全部电功率的大小,来调整从所述内部空间经由所述连通孔供给到所述处理空间的所述第一等离子体中的自由基量,利用该自由基调整所述第二等离子体中的自由基量,
通过控制所述第一分配电力和所述第二分配电力的比率,来调整从所述内部空间经由所述连通孔供给到所述处理空间的所述第一等离子体中的电子量,利用该电子调整所述第二等离子体中的离子量。
2.一种等离子体处理装置,其特征在于:
所述等离子体处理装置包括:
形成处理空间的处理容器;
载置被处理体的载置台,其配置于所述处理空间;
电介质部件,其以封闭所述处理空间的方式安装于处理容器,形成有内部空间和使该内部空间与所述处理空间连通的连通孔;
第一电极和第二电极,其形成于所述电介质部件内,隔着所述内部空间相对;
第一气体供给机构,其将用于等离子体处理的第一处理气体供给到所述内部空间;
第一高频电源,其通过将第一高频电力供给到所述第一电极和所述第二电极中的至少任一者,生成供给到所述内部空间的所述第一处理气体的第一等离子体;
减压机构,其通过对所述处理空间进行减压,将所述第一等离子体中的自由基和所述第一处理气体从所述内部空间经由所述连通孔导入至所述处理空间;
第二高频电源,其通过对所述载置台供给第二高频电力,生成导入至所述处理空间的所述第一处理气体的第二等离子体,并将该第二等离子体中的离子引入至所述被处理体;和
控制部,其通过控制分别供给到所述第一电极和所述第二电极的所述第一高频电力的全部电功率的大小,来调整从所述内部空间经由所述连通孔供给到所述处理空间的所述第一等离子体中的自由基量,利用该自由基调整所述第二等离子体中的自由基量,
通过控制分别供给到所述第一电极和所述第二电极的所述第一高频电力的比率,来调整从所述内部空间经由所述连通孔供给到所述处理空间的所述第一等离子体中的电子量,利用该电子调整所述第二等离子体中的离子量,
所述电介质部件的所述内部空间在所述被处理体的径向被分割而形成同心圆状的多个小空间,
所述多个小空间分别经由所述连通孔与所述处理空间连通,
所述第一电极和所述第二电极形成于所述电介质部件内的、分别与所述多个小空间对应的位置,分别隔着所述多个小空间中的1个小空间相对,
所述控制部通过控制分别供给到所述第一电极和所述第二电极的所述第一高频电力的全部电功率的大小,来调整分别从所述多个小空间经由所述连通孔供给到所述处理空间的所述第一等离子体中的自由基量,利用该自由基调整在所述被处理体的径向上的所述第二等离子体中的自由基量的分布,
通过控制分别供给到所述第一电极和所述第二电极的所述第一高频电力的比率,来调整分别从所述多个小空间经由所述连通孔供给到所述处理空间的所述第一等离子体中的电子量,利用该电子调整在所述被处理体的径向上的所述第二等离子体中的离子量的分布。
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