[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一导电型的半导体基板，其成为漏极区域；

漂移区域，形成于漏极区域之上；

第二导电型的主体区域，形成于所述漂移区域的上部；

第一导电型的源极区域，形成于所述主体区域的上部；

沟槽，贯通所述源极区域和所述主体区域而到达所述漂移区域；

绝缘膜，形成于所述沟槽的内壁；

栅极电极，形成于所述绝缘膜的内侧；以及

第二导电型的背栅电极，形成于所述主体区域的内部，而且与所述主体区域电连接，

在对所述漏极区域施加第1电压、对所述源极区域和所述主体区域施加比所述第1电压低的电压即第2电压、而且对所述栅极电极和所述源极区域之间施加第1阈值以上的第3电压时，电流从所述漏极区域流向所述源极区域，

在对所述源极区域施加所述第1电压、对所述漏极区域和所述主体区域施加所述第2电压、而且对所述栅极电极和所述漏极区域之间施加第2阈值以上的第4电压时，电流从所述源极区域流向所述漏极区域，

所述背栅电极的薄膜电阻值小于所述主体区域的薄膜电阻值，

所述源极区域和所述背栅电极以如下间隔配置，该间隔是即使对所述源极区域和所述漏极区域之间施加最大动作电压时，在所述源极区域和所述背栅电极之间也不产生击穿现象的间隔。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述背栅电极和所述源极区域之间形成有绝缘膜。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述背栅电极由多晶硅构成。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述背栅电极由扩散层构成。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述背栅电极通过第1接点与背栅端子连接，

所述栅极电极通过第2接点与栅极端子连接，

在对所述背栅端子施加电压时从所述第1接点进行电压驱动的所述背栅电极的电压驱动距离，小于在对所述栅极端子施加电压时从所述第2接点进行电压驱动的所述栅极电极的电压驱动距离。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视观察时，所述栅极电极被所述背栅电极包围。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述背栅电极跨越所述主体区域和所述漂移区域而设置。