[发明专利]包括超小型发光二极管的显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种包括超小型发光二极管的显示器的制造方法，其特征在于，

包括：

步骤(1)，在基板上形成第Ⅰ电极；

步骤(2)，在与上述第Ⅰ电极相同的平面或在上述第Ⅰ电极的上部形成第Ⅱ电极，并形成多个电极组件，上述多个电极组件包括第一电极及第二电极，上述第一电极与上述第Ⅰ电极相连接，上述第二电极以与上述第一电极相隔开的方式形成于与上述第一电极相同的平面，上述第二电极与上述第Ⅱ电极相连接；

步骤(3)，向形成于上述多个电极组件上的多个子像素区域投入包括多个超小型发光二极管元件的溶液；以及

步骤(4)，向上述多个电极组件施加电源来形成多个子像素，上述多个子像素包括与第一电极及第二电极这双方均连接的多个超小型发光二极管元件，

上述超小型发光二极管元件包括：

第一电极层；

第一导电性半导体层，形成于上述第一电极层上；

活性层，形成于上述第一导电性半导体层上；

第二导电性半导体层，形成于上述活性层上；以及

第二电极层，形成于上述第二导电性半导体层上，

上述超小型发光二极管元件在外部面包括绝缘覆膜，上述绝缘覆膜至少覆盖活性层部分的整个外部面，上述绝缘覆膜用于防止因超小型发光二极管元件的活性层和电极组件相接触而发生电路短路，

上述第一电极的宽度(X)、第二电极的宽度(Y)、第一电极和与上述第一电极相邻的第二电极之间的间距(Z)及超小型发光二极管元件的长度(H)满足如下关系式，

关系式1：

0.5Z≤H＜X+Y+2Z，

其中，100nm＜X≤10μm，100nm＜Y≤10μm，100nm＜Z≤10μm。

2.一种包括超小型发光二极管的显示器的制造方法，其特征在于，

包括：

步骤(1)，在基板上形成第Ⅰ电极；

步骤(2)，在与上述第Ⅰ电极相同的平面或在上述第Ⅰ电极的上部形成第Ⅱ电极，并形成多个电极组件，上述多个电极组件包括第一电极及第二电极，上述第一电极与上述第Ⅰ电极相连接，上述第二电极以与上述第一电极相隔开的方式形成于与上述第一电极相同的平面，上述第二电极与上述第Ⅱ电极相连接；

步骤(3)，向形成于上述多个电极组件上的多个子像素区域分别单独投入第一溶液、第二溶液及第三溶液，上述第一溶液包含多个蓝色超小型发光二极管元件，上述第二溶液包含多个绿色超小型发光二极管元件，上述第三溶液包含多个红色超小型发光二极管元件；以及

步骤(4)，向上述多个电极组件施加电源来形成多个子像素，上述多个子像素包括与第一电极及第二电极这双方均连接的多个超小型发光二极管元件，

上述超小型发光二极管元件包括：

第一电极层；

第一导电性半导体层，形成于上述第一电极层上；

活性层，形成于上述第一导电性半导体层上；

第二导电性半导体层，形成于上述活性层上；以及

第二电极层，形成于上述第二导电性半导体层上，

上述超小型发光二极管元件在外部面包括绝缘覆膜，上述绝缘覆膜至少覆盖活性层部分的整个外部面，上述绝缘覆膜用于防止因超小型发光二极管元件的活性层和电极组件相接触而发生电路短路，

上述第一电极的宽度(X)、第二电极的宽度(Y)、第一电极和与上述第一电极相邻的第二电极之间的间距(Z)及超小型发光二极管元件的长度(H)满足如下关系式，

关系式1：

0.5Z≤H＜X+Y+2Z，

其中，100nm＜X≤10μm，100nm＜Y≤10μm，100nm＜Z≤10μm。