[发明专利]微机电系统(MEMS)结构以及设计结构

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，该方法包括：

形成从设于腔体结构内的微机电系统横梁结构延伸的缓冲器；以及

在与该微机电系统横梁相对的该腔体结构的一侧上形成伪着陆结构，当该微机电系统横梁处于非制动状态时，该伪着陆结构沿水平方向横向偏离该缓冲器，以及当该微机电系统横梁处于制动状态时，该缓冲器着陆于该伪着陆结构上。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该缓冲器为介电缓冲器，且该伪着陆结构为金属或金属合金。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该金属或金属合金伪着陆结构以介电材料涂布。

4.如权利要求1所述的方法，其中：

所述形成该伪着陆结构包括确定操作条件期间由材料的热系数不匹配引起的横梁变形及延伸着陆；以及

所述形成该伪着陆结构包括考虑该微机电系统横梁的制程中所使用的材料的热系数的不匹配。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成该伪着陆结构包括考虑因微机电系统横梁结构中的制程变化而引起的应力、厚度和宽度变化所导致的标称偏移的变化性。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成该伪着陆结构包括考虑该微机电系统横梁或其它微机电系统结构的制程的至少一个制程条件。

7.如权利要求6所述的方法，其中，该制程的该至少一个制程条件包括用以形成该微机电系统横梁的材料沉积、光刻套刻及宽度、厚度、残余应力容差以及该缓冲器的位置的变化的至少其中一个。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成该伪着陆结构包括考虑因微机电系统变化性引起的偏移以及该微机电系统横梁中的温度诱发应力变化。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成该伪着陆结构包括考虑因拉伸或压缩力而引起的横梁残余应力变化性所导致的该微机电系统横梁的横向运动。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该微机电系统横梁的类型包括考虑该微机电系统横梁的尺寸及弹簧常数。

11.如权利要求9所述的方法，其中，所述形成该伪着陆结构还包括考虑该微机电系统横梁的行进距离、该微机电系统横梁的加速度、该微机电系统横梁与该伪着陆结构的间距、该微机电系统横梁的弹簧常数、制动电压、操作温度以及循环次数的至少其中一个。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成该伪着陆结构还包括形成大于该缓冲器的该伪着陆结构。

13.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成该伪着陆结构还包括形成当该微机电系统横梁被完全制动时与该缓冲器对齐的该伪着陆结构。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成该伪着陆结构还包括形成具有0.8±0.4微米的偏移的该伪着陆结构。

15.一种制造半导体结构的方法，该方法包括通过考虑制造微机电系统结构的制造方法变化以及操作条件对该微机电系统结构的影响的至少其中一个来确定相对绝缘体材料的缓冲器的伪着陆结构的尺寸和/或位置偏移，从而在制动期间，该缓冲器总是着陆于该伪着陆结构上且不与该微机电系统结构的制动器接触。

16.如权利要求15所述的方法，其中，该操作条件至少包括操作期间该微机电系统结构的微机电系统横梁的温度变化以及置于该微机电系统横梁上的横梁残余应力变化性。

17.如权利要求16所述的方法，其中，该横梁残余应力变化性导致该微机电系统横梁的偏移和/或变形。