[发明专利]用于电子器件的电极表面改性层有效
申请号: | 201480040221.X | 申请日: | 2014-07-11 |
公开(公告)号: | CN105378960B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | C·纽桑姆 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/10 | 分类号: | H01L51/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王海宁 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子器件 电极 表面 改性 | ||
1.一种制备用于有机电子器件的改性电极的方法,其中所述改性电极包含表面改性层,该方法包括:
(i)使包含M(tfd)3和至少一种溶剂的溶液沉积到所述电极的至少一个表面的至少一部分上,其中M是Mo、Cr或W;和
(ii)去除至少一些所述溶剂以在所述电极上形成所述表面改性层;
其中所述表面改性层不包含任何有机半导体。
2.根据权利要求1中所述的方法,其中所述表面改性层由M(tfd)3组成,其中M是Mo。
3.根据权利要求1中所述的方法,其中所述电极包含Au、Ag或Cu。
4.一种制备有机电子器件的方法,该方法包括:
(i)通过权利要求1至3任一项的方法制备至少一个改性电极;和
(ii)在所述改性电极的表面上沉积包含至少一种有机半导体的有机半导体层。
5.根据权利要求4中所述的方法,其中所述器件是薄膜晶体管。
6.根据权利要求4或5中所述的方法,其中所述有机半导体层包含聚合物半导体和至少一种非聚合物半导体。
7.根据权利要求6中所述的方法,其中所述非聚合物半导体具有式(I):
其中A是苯基或噻吩基,所述苯基或噻吩基任选地与可以为未取代的或取代有至少一个式X1基团的苯基或噻吩基稠合,和/或与选自苯基、噻吩基和苯并噻吩基的基团稠合,所述苯基、噻吩基和苯并噻吩基中的任一个是未取代的或者取代有至少一个式X1的基团;并且
每个基团X1可以相同或不同并且选自如下:(i)具有1至20个碳原子的未取代的或取代的直链、支化或环状的烷基,具有1至12个碳原子的烷氧基,可为未取代的或取代有具有1至8个碳原子的一个烷基或两个烷基的氨基,所述两个烷基各自可以相同或不同,酰胺基,甲硅烷基,和具有2至12个碳原子的烯基;或(ii)可聚合基团或反应性基团,该可聚合基团或反应性基团选自于卤素、硼酸、二硼酸、以及硼酸和二硼酸的酯、具有2至12个碳原子的烯基和甲锡烷基。
8.根据权利要求6中所述的方法,其中所述聚合物半导体包含式(II)的重复单元:
其中R1和R2相同或不同,并且各自选自于:氢,具有1至16个碳原子的烷基,具有5至14个碳原子的芳基,和含1至3个硫原子、氧原子、氮原子和/或硒原子的5-元至7-元杂芳基,所述芳基或杂芳基是未取代的或者取代有选自具有1至16个碳原子的烷基和具有1至16个碳原子的烷氧基中的一个或多个取代基;
和式(III)的重复单元:
其中Ar1和Ar2相同或不同,并且各自选自于具有5至14个碳原子的芳基和含1至3个硫原子、氧原子和/或氮原子的5-元至7-元杂芳基,所述芳基或杂芳基是未取代的或者取代有一个或多个选自具有1至16个碳原子的烷基和具有1至16个碳原子的烷氧基中的取代基;
R3是具有1至8个碳原子的烷基或者苯基,该苯基可以是未取代的或者取代有具有1至8个碳原子的烷基;并且
n是大于或等于1的整数。
9.根据权利要求6中所述的方法,其中所述聚合物半导体是F8-TFB[9,9’-二辛基芴-共聚-N-(4-丁基苯基)-二苯胺)]n,其中n大于100。
10.一种有机电子器件,其通过如权利要求4至9任一项中所限定的方法获得。
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