[发明专利]用于产生变化的磁场的磁传感器的方法和装置有效
申请号: | 201480040243.6 | 申请日: | 2014-07-01 |
公开(公告)号: | CN105378500B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | P·戴维;W·P·泰勒 | 申请(专利权)人: | 阿莱戈微系统有限责任公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R33/00;G01R33/06;G01D5/14 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国新罕*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 产生 变化 磁场 传感器 方法 装置 | ||
1.一种磁场传感器,包括:
半导体基板;
线圈,所述线圈具有第一端和与所述第一端相对的第二端,并被配置为响应于所述线圈中的变化的电流而提供具有磁场矢量的变化的磁场,所述磁场矢量的方向平行于所述半导体基板的表面,所述线圈被支撑在所述半导体基板上;以及
多个磁场感测元件,所述多个磁场感测元件采用桥式构造布置,并由所述基板支撑以通过检测目标所导致的所述变化的磁场中的改变来对所述目标进行检测,
其中,所述桥式构造的第一对磁场感测元件被安置于所述线圈的所述第一端,并且所述桥式构造的第二对磁场感测元件被安置于所述线圈的所述第二端,并且其中,所述第一对磁场感测元件和所述第二对磁场感测元件之间的连线与所述磁场矢量成直线,以提高所述磁场传感器对与所述磁场矢量成直线的所述目标的灵敏度。
2.根据权利要求1所述的磁场传感器,其中,由设置在所述基板的表面上的至少一个金属层来形成所述线圈。
3.根据权利要求1所述的磁场传感器,其中,所述多个磁场感测元件包括多个巨磁阻(GMR)元件。
4.根据权利要求1所述的磁场传感器,其中,所述多个磁场感测元件包括霍尔元件。
5.根据权利要求1所述的磁场传感器,还包括耦合到所述线圈的电流源。
6.根据权利要求1所述的磁场传感器,还包括耦合到所述线圈的脉冲或瞬态电流源。
7.根据权利要求1所述的磁场传感器,其中,所述线圈被安置于所述基板上方或下方。
8.根据权利要求1所述的磁场传感器,其中,所述线圈是被包括在与所述基板的封装件相同的封装件中的独立形成的元件。
9.一种检测磁场的方法,包括:
提供半导体基板;
驱动变化的电流通过线圈,使得所述线圈产生具有磁场矢量的变化的磁场,所述磁场矢量的方向平行于所述半导体基板的表面,所述线圈被支撑在所述半导体基板上,所述线圈具有第一端和与所述第一端相对的第二端;以及
利用由所述基板支撑的多个磁场感测元件通过检测目标所导致的所述变化的磁场中的改变来对所述目标进行检测,
其中,所述多个磁场感测元件采用桥式构造布置,所述桥式构造的第一对磁场感测元件被安置于所述线圈的所述第一端,并且所述桥式构造的第二对磁场感测元件被安置于所述线圈的所述第二端,并且其中,所述第一对磁场感测元件和所述第二对磁场感测元件之间的连线与所述磁场矢量成直线,以提高磁场传感器对与所述磁场矢量成直线的所述目标的灵敏度。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括由设置在所述基板的表面上的一个或多个金属层来形成所述线圈。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述多个磁场感测元件包括多个GMR元件。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,所述多个磁场感测元件包括霍尔元件。
13.根据权利要求9所述的方法,还包括向所述线圈供应脉冲或瞬态电流。
14.根据权利要求9所述的方法,还包括将所述线圈附接到所述基板的顶表面或底表面。
15.根据权利要求9所述的方法,还包括将所述线圈提供为在与所述基板的封装件相同的封装件内的独立形成的元件。
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