[发明专利]用于清洁柔性基板处理装置的处理腔室的方法和用于执行所述方法的装置以及用于其中的辊有效
申请号: | 201480040385.2 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN105393333B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | F·里斯;S·海因;S·劳伦斯;N·莫里森;T·斯托利 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 姬利永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 薄膜 处理 应用 清洁 方法 中的 装置 | ||
1.一种用于清洁柔性基板处理装置(100)的处理腔室(102C)而不破坏处理腔室(102B/C)内的真空的方法(1000、1001),所述方法(1000、1001)包括:
在柔性基板的开端或末端附连牺牲箔,其中所述牺牲箔的末区段附连到所述柔性基板的前区段,或者其中所述牺牲箔的前区段附连到所述柔性基板的末区段,其中所述牺牲箔邻接且不与所述柔性基板重叠,并且其中所述牺牲箔由与所述柔性基板的材料不同的材料制成;
将所述牺牲箔(107、107a、107b、107c)引导(1010)至所述处理腔室(102B/C)中;
在所述处理腔室(102B/C)中发起(1020)第一泵工艺;
当所述牺牲箔(107、107a、107b、107c)被设置在所述处理腔室(102B、102C)中时,等离子体清洁(1030)在从10-1mbar到10-7mbar的真空中的所述处理腔室(102B/C);
在所述处理腔室(102B/C)中发起(1040)第二泵工艺;以及
将所述牺牲箔(107、107a、107b、107c)引导(1050)至所述处理腔室(102B/C)外。
2.根据权利要求1所述的方法(1000、1001),其特征在于,所述第一泵工艺进一步包括净化,使得提供第一泵和净化工艺,或者其中所述第二泵工艺进一步包括净化,使得提供第二泵和净化工艺。
3.根据权利要求1所述的方法(1000、1001),其特征在于,所述第一泵工艺进一步包括净化,使得提供第一泵和净化工艺,以及其中所述第二泵工艺进一步包括净化,使得提供第二泵和净化工艺。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(1000、1001),其特征在于,将所述牺牲箔(107、107a、107b、107c)引导(1010)至所述处理腔室(102B/C)中包括同时将柔性基板(106)引导至所述处理腔室(102B/C)外。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(1000、1001),其特征在于,将所述牺牲箔(107、107a、107b、107c)引导(1050)至所述处理腔室(102B/C)外包括同时将柔性基板(106)引导至所述处理腔室(102B/C)中。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(1000、1001),其特征在于,所述牺牲箔(107、107a、107b、107c)是由金属合金、具体来说是不锈钢构成。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(1000、1001),其特征在于,所述牺牲箔(107、107a、107b、107c)是由金属合金、具体来说是不锈钢构成。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(1000、1001),其特征在于,等离子体清洁(1030)所述处理腔室(102B/C)包括利用氟化清洁气体等离子体清洁所述处理腔室(102B/C)。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(1000、1001),其进一步包括所述柔性基板处理装置(100)的所述处理腔室(102B/C)中的处理滚筒(110)的冷却。
10.根据权利要求2至3中任一项所述的方法(1000、1001),其特征在于,在将柔性基板引导至所述处理腔室(102B/C)中之前,多次重复在所述处理腔室(102B/C)中发起(1020)所述第一泵和净化工艺、等离子体清洁(1030)所述处理腔室(102B/C)、以及在所述处理腔室(102B/C)中发起(1040)所述第二泵和净化工艺。
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