[发明专利]具有衬底中的散射特征的LED

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

生成光的发光二极管（LED）半导体层（12、14、16），LED半导体层具有发光表面；

叠覆发光表面并且贴附到LED半导体层的衬底（38、57、64、73、78、82、84）；以及

形成在衬底内的一个或多个光散射区域（40A、40B、40C、42A、42B、56A、56B、56C、60、62A、62B、68、80A、80B、80C、86A、86B），

其中LED半导体层包括生成光的区域和不生成光的区域，其中一个或多个光散射区域位于不生成光的至少一个LED半导体层区域之上，并且

其中一个或多个光散射区域不形成在生成光的LED半导体层区域之上。

2.权利要求1的器件，其中一个或多个光散射区域（40A、40B、40C、42A、42B、56A、56B、56C、60、62A、62B、68、80A、80B、80C、86A、86B）包括在衬底的仅所选区域中并且不遍及衬底的衬底（38、57、64、73、78、82、84）内的反射颗粒。

3.权利要求1的器件，其中一个或多个光散射区域（40A、40B、40C、42A、42B、56A、56B、56C、60、62A、62B、68、80A、80B、80C、86A、86B）包括形成在衬底（38、57、64、73、78、82、84）内的反射空隙。

4.权利要求1的器件，其中衬底是在其上已经外延生长LED半导体层（12、14、16）的生长衬底（38、57、64、73）。

5.权利要求1的器件，其中衬底（57）利用粘合剂贴附到LED半导体层（12、14、16）的发光表面。

6.权利要求1的器件，其中一个或多个光散射区域（40A、40B、40C、42A、42B、56A、56B、56C、60、62A、62B、68、80A、80B、80C、86A、86B）包括反射金属颗粒。

7.权利要求1的器件，其中一个或多个光散射区域中的至少一个（40A、40B、40C、42A、42B、56A、56B、56C、60、62A、62B、68、80A、80B、80C、86A、86B）形成为叠覆LED半导体层（12、14、16）内或LED半导体层（12、14、16）下面的光吸收区域。

8.权利要求1的器件，还包括用于LED半导体层的金属接触件（26），其中LED半导体层包括N型层（12）和P型层（16），并且其中一个或多个光散射区域中的至少一个（40A、40B、40C、56A、56B、56C、60、68、80A、80B、80C）形成在用于N型层的金属接触件（28）之上。

9.权利要求1的器件，其中一个或多个光散射区域（42A、42B、62A、62B、86A、86B）沿着衬底（38、57、64、73、78、84）的侧壁形成。

10.权利要求1的器件，其中衬底（38、57、64、73、78、82、84）包括波长转换材料。

11.权利要求1的器件，还包括叠覆衬底（57）的磷光体层（20），一个或多个光散射区域（56A）定位成散射来自磷光体层的已经朝向LED半导体层（12、14、16）发射的光，使得一些光朝向磷光体层反射回来。

12.权利要求1的器件，其中一个或多个光散射区域中的至少一个（40A、40B、40C）定位成接近靠近LED半导体层（12、14、16）的衬底（38）的底表面。

13.权利要求1的器件，其中一个或多个光散射区域中的至少一个（56A）定位成接近远离LED半导体层（12、14、16）的衬底（57）的顶表面。

14.权利要求1的器件，其中除一个或多个光散射区域（40A、40B、40C、42A、42B、56A、56B、56C、60、62A、62B、68、80A、80B、80C、86A、86B）之外，衬底（38、57、64、73、78、82、84）是透明的。