[发明专利]磁光材料及其制造方法以及磁光器件

权利要求书

1.磁光材料，其特征在于，包含：由下述式(1)表示的稀土氧硫化物的烧结体的透明陶瓷、或者由下述式(1)表示的稀土氧硫化物的单晶，波长1064nm处的维尔德常数为0.14min/(Oe·cm)以上，

(Tb_xR_1-x)₂O₂S (1)，

式中，x为0.3以上且小于1，R为选自钇、镥、钆、钬、钪、镱、铕、镝中的至少一种稀土元素。

2.权利要求1所述的磁光材料，其特征在于，对于10mm的光程长，使波长1064nm的激光以光束直径1.6mm入射时，不产生热透镜的激光的入射功率的最大值为40W以上。

3.权利要求1或2所述的磁光材料，其中，每光程长10mm的波长1064nm的光的直线透射率为60％以上。

4.权利要求1所述的磁光材料，其中，与由下述式表示的稀土氧化物相比，能入射的激光的入射功率的最大值增加而不产生波段0.9～1.1μm处的热透镜，

(Tb_xR_1-x)₂O₃，

式中，R和x与所述式(1)中的R和x相同。

5.磁光材料的制造方法，其中，

在坩埚内烧成氧化铽粉末、选自钇、镥、钆、钬、钪、镱、铕、镝中的至少一种稀土氧化物粉末和硫粉末后，进行粉碎，形成稀土氧硫化物原料粉末，将该稀土氧硫化物原料粉末压制成形为规定形状后进行烧结，再进行热等静压处理，得到由下述式(1)表示的稀土氧硫化物烧结体的透明陶瓷，

(Tb_xR_1-x)₂O₂S (1)，

式中，x为0.3以上且小于1，R为选自钇、镥、钆、钬、钪、镱、铕、镝中的至少一种稀土元素。

6.磁光器件，其特征在于，使用权利要求1～4任一项所述的磁光材料构成。

7.权利要求6所述的磁光器件，其为光隔离器，该光隔离器具备所述磁光材料作为法拉第转子，在该法拉第转子的光学轴上的前后方具备偏光材料，并且可在波段0.9μm以上1.1μm以下利用。

8.权利要求7所述的磁光器件，其特征在于，所述法拉第转子在其光学面具有防反射膜。