[发明专利]铜和/或铜氧化物分散体、以及使用该分散体形成的导电膜

权利要求书

1.一种分散体，其是铜氧化物的分散体，其中，该分散体含有0.50质量％以上60质量％以下的铜氧化物微粒、以及下述(1)～(4)：

(1)表面能调节剂；

(2)具有磷酸基的有机化合物；

(3)20℃的蒸汽压为0.010Pa以上且小于20Pa的溶剂0.050质量％以上10质量％以下；和

(4)20℃的蒸汽压为20Pa以上150hPa以下的溶剂。

2.如权利要求1所述的分散体，其中，所述(1)表面能调节剂为含氟表面活性剂。

3.如权利要求2所述的分散体，其中，所述含氟表面活性剂的含量为0.10质量％以上2.0质量％以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的分散体，其中，所述(2)具有磷酸基的有机化合物的含量为0.10质量％以上20质量％以下。

5.如权利要求1～3中任一项所述的分散体，其中，所述(3)20℃的蒸汽压为0.010Pa以上且小于20Pa的溶剂是碳原子数为10以下的多元醇。

6.如权利要求1～3中任一项所述的分散体，其中，所述(4)20℃的蒸汽压为20Pa以上150hPa以下的溶剂是碳原子数为10以下的一元醇。

7.如权利要求1～3中任一项所述的分散体，其中，所述铜氧化物为氧化亚铜或氧化铜。

8.如权利要求7所述的分散体，其中，所述铜氧化物为氧化亚铜。

9.一种导电膜层积体，其是将导电膜层积于基板上而得到的导电膜层积体，所述导电膜通过印刷权利要求1～8中任一项所述的分散体而形成。

10.如权利要求9所述的导电膜层积体，其中，所述印刷为反转印刷。

11.如权利要求9或10所述的导电膜层积体，其中，所述导电膜的最小线宽为0.10μm以上30μm以下，且最小间距宽为0.10μm以上30μm以下。

12.一种晶体管，其为包含栅极、源极、漏极、绝缘层和半导体层的晶体管，其中，该栅极、该源极和该漏极中的至少1种电极为权利要求9～11中任一项所述的导电膜、或通过对权利要求1～8中任一项所述的分散体进行反转印刷而形成的导电膜。

13.一种铜氧化物的分散体，其含有0.50质量％以上60.0质量％以下的铜氧化物微粒、以及下述(1)～(4)：

(1)含氟表面活性剂0.10质量％以上2.0质量％以下；

(2)具有磷酸基的有机化合物0.10质量％以上20质量％以下；

(3)碳原子数为10以下的多元醇0.050质量％以上10质量％以下；和

(4)碳原子数为10以下的一元醇。

14.一种导电膜，其通过涂布权利要求13所述的分散体而形成。