[发明专利]接合体及功率模块用基板有效
| 申请号： | 201480041130.8 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105393349B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 寺崎伸幸;长友义幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;B23K35/30;C04B37/02;C22C9/02;H01L23/12;H01L23/36;H01L23/40 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接合 功率 模块 用基板 | ||
1.一种接合体，由陶瓷构成的陶瓷部件与由Cu或Cu合金构成的Cu部件通过Cu-P-Sn系钎料及厚度为0.1μm以上且小于0.5μm的Ti材接合而成，其中，
在所述陶瓷部件与所述Cu部件的接合界面形成有：
位于所述陶瓷部件侧且Sn固溶于Cu中的Cu-Sn层；及
位于所述Cu部件与所述Cu-Sn层之间且含P及Ti的金属间化合物层。
2.根据权利要求1所述的接合体，其中，
所述金属间化合物层形成于自所述陶瓷部件与所述Cu-Sn层的界面距离0.1μm以上100μm以下的范围内。
3.一种功率模块用基板，其中，
所述功率模块用基板由权利要求1或2所述的接合体构成，
所述功率模块用基板具备：陶瓷基板，由所述陶瓷部件构成；及电路层，在该陶瓷基板的一个面通过Cu-P-Sn系钎料及厚度为0.1μm以上且小于0.5μm的Ti材接合由所述Cu部件构成的Cu板而成，
在所述陶瓷基板与所述电路层的接合界面形成有：
位于所述陶瓷基板侧且Sn固溶于Cu中的Cu-Sn层；及
位于所述电路层与所述Cu-Sn层之间且含P及Ti的金属间化合物层。
4.根据权利要求3所述的功率模块用基板，其中，
在所述陶瓷基板的另一个面形成有金属层。
5.根据权利要求4所述的功率模块用基板，其中，
所述金属层在所述陶瓷基板的另一个面通过Cu-P-Sn系钎料及Ti材接合由Cu或Cu合金构成的Cu板而成，
在所述陶瓷基板与所述金属层的接合界面形成有：
位于所述陶瓷基板侧且Sn固溶于Cu中的Cu-Sn层；及
位于所述金属层与所述Cu-Sn层之间且含P及Ti的金属间化合物层。
6.根据权利要求4所述的功率模块用基板，其中，
所述金属层由Al或Al合金构成。
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