[发明专利]SiC基板的制造方法有效
| 申请号： | 201480041513.5 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN105408531B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 旦野克典 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/00;C30B23/02;C30B25/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.逐片地制造具有SiC外延层的SiC基板的方法，包括：
在晶种基板上，通过使用了Si的熔液的溶液法使SiC外延层生长，
在所述生长的SiC外延层上，通过溶液法使SiC基板生长，
并进一步包括：
将得到的具有SiC外延层的SiC基板从所述晶种基板拆下的工序，
所述SiC外延层的氮密度为1014～1017个/cm3，
所述SiC基板的氮密度为1018个/cm3以上。
2.权利要求1所述的制造方法，其中，通过所述溶液法使SiC基板生长包括使用Si/X的熔液，其中X选自Ti、Mn、Cr、Ni、Ce、Co、V和Fe。
3.权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述晶种基板是经CMP研磨而成的。
4.权利要求1或2所述的制造方法，其中，使所述SiC外延层生长包括使正面生长。
5.权利要求1或2所述的制造方法，其中，使所述SiC外延层生长包括进行(000-1)C面生长或(0001)Si面生长。
6.权利要求1或2所述的制造方法，其中，使所述SiC基板生长包括进行(000-1)C面生长或(0001)Si面生长。
7.权利要求1或2所述的制造方法，其中，使所述SiC外延层生长包括使所述SiC外延层生长成5～200μm的厚度，使所述SiC基板生长包括使所述SiC基板生长成150～500μm的厚度。
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