[发明专利]碳纳米管复合体、半导体元件和使用其的传感器

权利要求书

1.一种碳纳米管复合体，其为在表面的至少一部分上附着有有机物的碳纳米管复合体，其中，在所述碳纳米管复合体的至少一部分中含有选自羟基、羧基、氨基、巯基、磺基、膦酸基、它们的有机盐或无机盐、甲酰基、马来酰亚胺基和琥珀酰亚胺基中的至少一种官能团。

2.如权利要求1所述的碳纳米管复合体，其中，在所述有机物的一部分中具有所述官能团。

3.如权利要求1所述的碳纳米管复合体，其中，在所述碳纳米管的表面附着有与所述有机物不同的其他化合物，在所述化合物的一部分中具有所述官能团。

4.如权利要求1～3中任一项所述的碳纳米管复合体，其中，所述有机物为共轭类聚合物。

5.如权利要求1或2所述的碳纳米管复合体，其中，所述有机物为含有侧链的共轭类聚合物，在所述侧链的至少一部分中含有所述官能团。

6.如权利要求5所述的碳纳米管复合体，其中，在所述侧链的至少一部分中含有亚烷基。

7.一种半导体元件，所述半导体元件含有基板、第1电极、第2电极和半导体层，所述第1电极以与所述第2电极隔开间隔的方式被配置，所述半导体层被配置在所述第1电极与所述第2电极之间，所述半导体层含有权利要求1～6中任一项所述的碳纳米管复合体。

8.如权利要求7所述的半导体元件，所述半导体元件还含有第3电极和绝缘层，所述第3电极以通过所述绝缘层而与所述第1电极、所述第2电极和所述半导体层电绝缘的方式被配置。

9.一种制造半导体元件的方法，其为制造下述半导体元件的方法，所述半导体元件至少含有基板、第1电极、第2电极和半导体层，所述第1电极以与所述第2电极隔开间隔的方式被配置，所述半导体层被配置在所述第1电极与所述第2电极之间，

所述制造半导体元件的方法包括通过涂布权利要求1～6中任一项所述的碳纳米管复合体而形成所述半导体层的工序。

10.一种传感器，所述传感器含有权利要求7或8所述的半导体元件。

11.如权利要求10所述的传感器，所述传感器含有选择性地与感知对象物质相互作用的生物相关物质，所述生物相关物质被固定在含有所述碳纳米管复合体的半导体层中。

12.一种制造传感器的方法，其为制造含有权利要求7或8所述的半导体元件的传感器的方法，所述制造传感器的方法包括在权利要求7或8所述的半导体元件的半导体层中固定选择性地与感知对象物质相互作用的生物相关物质的工序。