[发明专利]导电性糊剂以及结晶系硅太阳能电池的制造方法在审
申请号: | 201480041741.2 | 申请日: | 2014-07-24 |
公开(公告)号: | CN105409009A | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
发明(设计)人: | 高桥哲;斋藤元希 | 申请(专利权)人: | 纳美仕有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;C03C3/14;C03C8/16;C03C8/18;H01B1/16;H01B1/22;H01L21/288 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 以及 结晶 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种导电性糊剂,其是包含导电性粉末、复合氧化物、和有机媒质的导电性糊剂,
复合氧化物包含氧化钼、氧化硼和氧化铋。
2.如权利要求1所述的导电性糊剂,其中,复合氧化物中,将氧化钼、氧化硼和氧化铋的合计设为100摩尔%,包含氧化钼25~65摩尔%、氧化硼5~45摩尔%和氧化铋25~35摩尔%。
3.如权利要求1所述的导电性糊剂,其中,复合氧化物中,将氧化钼、氧化硼和氧化铋的合计设为100摩尔%,包含氧化钼15~40摩尔%、氧化硼25~45摩尔%和氧化铋25~60摩尔%。
4.如权利要求1~3中任一项所述的导电性糊剂,其中,在复合氧化物100摩尔%中,复合氧化物包含氧化钼、氧化硼和氧化铋合计90摩尔%以上。
5.如权利要求1~4中任一项所述的导电性糊剂,其中,在复合氧化物100重量%中,复合氧化物还包含二氧化钛0.1~6摩尔%。
6.如权利要求1~5中任一项所述的导电性糊剂,其中,在复合氧化物100重量%中,复合氧化物还包含氧化锌0.1~3摩尔%。
7.如权利要求1~6中任一项所述的导电性糊剂,其中,导电性糊剂包含相对于导电性粉末100重量份为0.1~10重量份的复合氧化物。
8.如权利要求1~7中任一项所述的导电性糊剂,其中,导电性粉末为银粉末。
9.一种结晶系硅太阳能电池的制造方法,其包括:
准备一种导电型的结晶系硅基板的工序;
在结晶系硅基板的一个表面形成其它导电型的杂质扩散层的工序;
在杂质扩散层的表面形成防反射膜的工序;和
通过将权利要求1~8中任一项所述的导电性糊剂印刷在防反射膜的表面及进行烧成,以形成光入射侧电极的电极形成工序。
10.一种结晶系硅太阳能电池的制造方法,其包括:
准备一种导电型的结晶系硅基板的工序;
在作为结晶系硅基板的一个表面的背面的至少一部分,使一种导电型和其它导电型的杂质扩散层各自以相互嵌入的方式形成梳状的工序;
在杂质扩散层的表面形成氮化硅薄膜的工序;和
通过将权利要求1~8中任一项所述的导电性糊剂印刷在防反射膜的表面的至少一部分及进行烧成,以形成分别电连接于一种导电型和其它导电型的杂质扩散层的两个电极的电极形成工序,所述防反射膜对应于形成有一种导电型和其它导电型的杂质扩散层的区域。
11.如权利要求9或10所述的结晶系硅太阳能电池的制造方法,其中,电极形成工序包括将导电性糊剂在400~850℃进行烧成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的