[发明专利]金属氧化物膜的制造方法和晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物膜的制造方法，其中，其具备：

将含有有机金属络合物的溶液涂布于基板的涂布工序；

将得到的涂膜暴露于臭氧的臭氧暴露工序；和

在180度以下对所述涂膜进行加热的加热工序，

在所述臭氧暴露工序之后，进一步具备使所述涂膜接触有机溶剂的清洗工序，

在所述臭氧暴露工序中，将所述涂膜选择性地暴露于臭氧。

2.如权利要求1所述的金属氧化物膜的制造方法，

其中，所述有机金属络合物为1分子中的总碳原子数为4～30的金属络合物的至少一种。

3.如权利要求1或2所述的金属氧化物膜的制造方法，

其中，所述有机金属络合物为乙酰丙酮金属络合物，

所述含有有机金属络合物的溶液的溶剂包含醇类、酮类、醚类、卤代烃类、环状烃类的至少1种。

4.如权利要求1或2所述的金属氧化物膜的制造方法，

其中，所述金属氧化物膜至少含有Al、O、C、H四种元素，所述四种元素之间的C与H的组成比的总量为70％以上。

5.如权利要求1所述的金属氧化物膜的制造方法，

其中，在所述清洗工序中所用的所述有机溶剂包含醇类、酮类、醚类、卤代烃类、环状烃类的至少一种。

6.一种晶体管的制造方法，其中，其具备：

在基板上形成栅极的工序；

将含有有机金属络合物的溶液涂布于所述基板的工序；

将得到的涂膜选择性地暴露于臭氧的工序；

用有机溶剂对所述基板进行清洗的工序；

在180度以下对所述涂膜进行加热，得到绝缘膜的工序；和

形成源极、漏极和半导体层的工序。