[发明专利]高电压混合聚合陶瓷电介质电容器

权利要求书

1.一种集成电路，其包括：

包含半导体的衬底；

安置于所述衬底中的多个晶体管；

含有金属互连件的至少一个金属层级，所述金属层级安置在所述衬底上方；

隔离电容器，其包含：底板；安置在所述底板上方的二氧化硅电介质层；安置在所述二氧化硅电介质层上方且延伸跨越所述集成电路的聚合物电介质层；以及安置在所述聚合物电介质层上方的顶板；

安置在所述顶板上的接合垫；以及

在所述隔离电容器外部的另一接合垫，所述另一接合垫通过穿过所述聚合物电介质层而安置的通孔电耦合到所述金属互连件中的第一者。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述底板为所述金属层级的部分。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述底板包含含有钛的粘合金属层及在所述粘合金属层上方的经溅射的铝层。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述顶板包含金属籽晶层及经电镀的铜层。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述二氧化硅电介质层延伸跨越所述集成电路。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述二氧化硅电介质层被定位到所述隔离电容器。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述二氧化硅电介质层的厚度为8微米到10微米。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述另一接合垫通过穿过所述二氧化硅电介质层而安置的下通孔电耦合到所述金属互连件中的所述第一者。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述聚合物电介质层的厚度为9微米到12微米。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述聚合物电介质层由聚酰亚胺形成。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述聚合物电介质层由聚对苯撑苯并二恶唑PBO形成。

12.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述聚合物电介质层由苯并环丁烯BCB形成。

13.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：

提供包含半导体的衬底；

在所述衬底中形成多个晶体管；

在所述衬底上方形成至少一个金属层级，所述金属层级含有金属互连件；

形成隔离电容器的底板；

在所述底板上方形成所述隔离电容器的二氧化硅电介质层；

在所述二氧化硅电介质层上方形成所述隔离电容器的聚合物电介质层，所述聚合物电介质层延伸跨越所述集成电路；

穿过所述聚合物电介质层形成通路孔；

在所述聚合物电介质层上方形成所述隔离电容器的顶板；

在所述顶板上形成接合垫；以及

在所述隔离电容器外部形成另一接合垫，所述另一接合垫通过所述通路孔中的通孔电耦合到所述金属互连件中的第一者。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述底板包含：

形成含有钛的粘合金属层；

在所述粘合金属层上形成经溅射的铝层；

在所述经溅射的铝层上方形成蚀刻掩模，其覆盖用于所述底板的区域；以及

蚀刻在由所述蚀刻掩模暴露的区域中的所述经溅射的铝层及所述粘合金属层。

15.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述顶板包含：

在所述聚合物电介质层上方形成金属籽晶层；

在所述金属籽晶层上方形成电镀掩模以暴露用于所述顶板的区域；

在用于所述顶板的所述区域中的所述金属籽晶层上电镀铜；以及

移除所述电镀掩模。