[发明专利]用于有机电子器件的基板的制造方法

权利要求书

1.一种用于有机电子器件的基板的制造方法，其包括：

在第一聚合物基层或所述第一聚合物基层的前体层的至少一个表面上形成凹凸图案并在所述第一聚合物基层或其前体层的具有所述凹凸图案的表面上形成第二基层以形成内部具有空洞的基板；

其中所述第一聚合物基层具有200℃或更高的玻璃化转变温度，其中所述第一聚合物基层具有1.4或更高的相对于550nm的波长的光的折射率，并且其中所述第一聚合物基层或其前体层包含四羧酸二酐和二胺化合物的缩合单元或其亚胺化单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成凹凸图案包括在其表面上具有凹凸图案的模具上形成所述第一聚合物基层或其前体层，以与所述模具的凹凸图案接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二基层的面向具有凹凸图案的所述第一聚合物基层的凹凸图案的表面上形成凹凸图案。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一聚合物基层的雾度为3％至90％。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将具有不同于所述第一聚合物基层的折射率的材料填充至所述凹凸图案的凹痕中。

6.根据权利要求5所述的方法，其中具有不同于所述第一聚合物基层的折射率的材料为SiON、TiO₂、SiO₂、Al₂O₃、Ta₂O₃、Ti₃O₃、TiO₂、TiO、ZrO₂、Nb₂O₃、CeO₂、ZnS或环氧树脂。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一聚合物基层或其前体层包含共聚物，该共聚物包含作为第一单元的第一四羧酸二酐与第一二胺化合物的缩合单元或其亚胺化单元，以及作为第二单元的第二四羧酸二酐与第二二胺化合物的缩合单元或其亚胺化单元。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一聚合物基层或其前体层包含第一聚合物和第二聚合物，所述第一聚合物包含作为第一单元的第一四羧酸二酐与第一二胺化合物的缩合单元或其亚胺化单元，所述第二聚合物包含作为第二单元的第二四羧酸二酐与第二二胺化合物的缩合单元或其亚胺化单元。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中所述第一单元与所述第二单元之间的折射率之差的绝对值为0.01以上。

10.根据权利要求7或8所述的方法，其中所述第一单元中包含的极性官能团的摩尔数与所述第二单元中包含的极性官能团的摩尔数之间的差的绝对值为2以上。

11.一种用于有机电子器件的基板，包含：

在其至少一个表面上具有凹凸图案的第一聚合物基层和形成于所述第一聚合物基层的具有所述凹凸图案的表面上的第二聚合物基层，

其中所述第一聚合物基层具有200℃或更高的玻璃化转变温度，其中所述第一聚合物基层具有1.4或更高的相对于550nm的波长的光的折射率，其中所述基板由于所述凹凸图案而具有空洞并且其中所述第一聚合物基层包含四羧酸二酐和二胺化合物的缩合单元或其亚胺化单元。

12.一种有机电子器件的制造方法，包括：

在第一聚合物基层的至少一个表面上形成凹凸图案；通过在所述第一聚合物基层或其前体层的具有所述凹凸图案的表面上形成第二基层来形成内部具有空洞的基板，以及

在所述基板上形成有机电子元件，

其中所述第一聚合物基层具有200℃或更高的玻璃化转变温度，其中所述第一聚合物基层具有1.4或更高的相对于550nm的波长的光的折射率，并且其中所述第一聚合物基层包含四羧酸二酐和二胺化合物的缩合单元或其亚胺化单元。