[发明专利]具有硅薄膜晶体管和半导体氧化物薄膜晶体管的显示器

权利要求书

1.一种显示器，包括：

基板；

位于所述基板上的显示器像素阵列；

由位于所述基板上的薄膜晶体管形成的显示驱动器电路，其中所述显示驱动器电路包括硅薄膜晶体管，并且其中所述显示器像素阵列包括至少一个半导体氧化物薄膜晶体管；和

第一栅极金属层，所述第一栅极金属层被图案化以形成所述硅薄膜晶体管的栅极和所述至少一个半导体氧化物薄膜晶体管的栅极；

第二金属层，所述第二金属层形成所述至少一个半导体氧化物薄膜晶体管的源极-漏极触点；

第三金属层，所述第三金属层形成耦接至所述源极-漏极触点中的至少一个源极-漏极触点的结构；

第一电介质层，所述第一电介质层被插置在所述第二金属层和所述第三金属层之间；

第四金属层，所述第四金属层包括显示像素电极；

第五金属层，所述第五金属层包括公共电极；以及

第二电介质层，所述第二电介质层被插置在所述第三金属层和第四金属层之间。

2.根据权利要求1所述的显示器，其中所述至少一个半导体氧化物薄膜晶体管具有半导体氧化物层，并且其中所述至少一个半导体氧化物薄膜晶体管的所述栅极位于所述半导体氧化物层下方。

3.根据权利要求2所述的显示器，其中位于所述基板上的多晶硅层形成所述硅薄膜晶体管的硅沟道，并且其中所述至少一个半导体氧化物薄膜晶体管的栅极位于所述多晶硅层上方。

4.根据权利要求3所述的显示器，还包括被插置在所述至少一个半导体氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述半导体氧化物层之间的氮化硅层和氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的显示器，还包括与所述硅薄膜晶体管的至少一部分和所述半导体氧化物薄膜晶体管的至少一部分重叠的光屏蔽层。

6.一种有机发光二极管显示器中的显示器像素中的显示器像素电路，包括：

发光二极管；

耦接至所述发光二极管的半导体氧化物薄膜晶体管；

硅薄膜晶体管，其中所述半导体氧化物薄膜晶体管包括具有栅极的驱动晶体管；和

耦接在所述栅极和所述发光二极管之间的电容器，其中所述硅薄膜晶体管具有多晶硅沟道并被耦接至还包括金属层的所述电容器，其中所述电容器具有第一电极和第二电极，其中所述第一电极和所述栅极由所述金属层的一部分形成，并且其中所述硅薄膜晶体管具有由所述金属层的另一部分形成的栅极。

7.根据权利要求6所述的显示器像素电路，其中所述硅薄膜晶体管具有由多晶硅层的一部分形成的沟道，其中所述第二电极由所述多晶硅层的附加部分形成，其中所述氧化物晶体管具有由半导体氧化物层形成的沟道，并且其中由所述半导体氧化物层形成的所述沟道与所述多晶硅层的所述附加部分重叠。

8.根据权利要求6所述的显示器像素电路，还包括：

耦接至所述发光二极管的顶栅半导体氧化物薄膜晶体管。

9.根据权利要求6所述的显示器像素电路，还包括：

与所述硅薄膜晶体管的至少一部分和所述半导体氧化物薄膜晶体管的至少一部分重叠的光屏蔽层。

10.一种液晶显示器，包括：

基板；

位于所述基板上的显示器像素电路阵列；和

将栅极线信号驱动到所述显示器像素电路阵列中的显示驱动器电路，其中所述显示驱动器电路包括电平移位器电路，其中所述显示驱动器电路包括在所述基板上形成的硅薄膜晶体管，其中所述显示器像素电路阵列包括半导体氧化物薄膜晶体管电路，其中所述显示驱动器电路包括栅极驱动器电路，其中所述电平移位器电路形成所述栅极驱动器电路的一部分，其中所述栅极驱动器电路进一步包括移位寄存器，其中所述电平移位器电路被耦接至所述移位寄存器，并且其中所述栅极驱动器电路包括缓冲电路。

11.根据根据权利要求10所述的液晶显示器，其中所述缓冲电路被耦接至所述电平移位器电路并产生所述栅极线信号，其中所述移位寄存器供应具有第一电压摆动的信号，其中所述电平移位器将所述第一电压摆动调节为第二电压摆动，并且其中所述缓冲电路从所述移位寄存器接收具有所述第一电压摆动的所述信号，并且从所述电平移位器接收具有所述第二电压摆动的信号。