[发明专利]蚀刻方法

说明书

本发明提供一种蚀刻方法，其使用具有处理室的衬底处理装置对被处理体进行蚀刻，该处理室包括：第一电极；和与上述第一电极相对地配置的、载置被处理体的第二电极。该蚀刻方法包括：利用处理气体的等离子体在10℃以下的温度对通过包括第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物相分离而形成有上述第一聚合物和上述第二聚合物的图案的被处理体进行蚀刻，除去上述第一聚合物和上述第二聚合物中的至少一个聚合物的步骤。

技术领域

本发明涉及蚀刻方法。

背景技术

为了实现半导体器件的进一步微细化，需要降低通过使用至今为止的光刻技术的微细加工而得到的边界(临界)尺寸。

作为下一代的微细加工技术，作为使秩序图案自发组装化的自组织(self-assembled)材料之一的自组织嵌段共聚物(BCP：block copolymer)受到关注(参照专利文献1)。具体而言，首先将包含含有相互不混合的两种以上的聚合物·嵌段成分A、B的嵌段共聚物的、嵌段共聚物层涂敷在下层膜。然后，通过进行热处理(退火)，聚合物·嵌段成分A、B自发地相分离。在由此得到的由纳米尺寸的构造单位构成的秩序图案中，利用蚀刻将任一者的聚合物成分有选择地除去。然后，以残存的聚合物成分为掩模将图案转印到衬底上，由此能够得到所期望的微细图案。

专利文献1：日本特开2001-151834号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，在使用专利文献1的嵌段共聚物的方法中，存在聚合物成分的蚀刻后得到的图案的LER(Line edge roughness，线边缘粗糙度)、LWR(Line width roughness，线宽粗糙度)的值变大的问题。

对于上述技术问题，提供能够抑制所得到的图案的LER和LWR的值的蚀刻方法。

用于解决问题的技术方案

在本发明的一个实施方式中，提供一种蚀刻方法，其使用具有处理室的衬底处理装置对被处理体进行蚀刻，上述处理室包括：第一电极；和与上述第一电极相对配置的、载置被处理体的第二电极。

该蚀刻方法包括：利用处理气体的等离子体在10℃以下的温度对包括第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物相分离而形成有上述第一聚合物和上述第二聚合物的图案的被处理体进行蚀刻，除去上述第一聚合物和上述第二聚合物中的至少一个聚合物的步骤。

发明效果

根据本发明的实施方式涉及的蚀刻方法，能够抑制所获得的图案的LER和LWR的值。

附图说明

图1是本发明的实施方式涉及的蚀刻方法的一个例子的流程图。

图2A是用于说明本发明的实施方式涉及的蚀刻方法的一个例子的第一概略图。

图2B是用于说明本发明的实施方式涉及的蚀刻方法的一个例子的第二概略图。

图2C是用于说明本发明的实施方式涉及的蚀刻方法的一个例子的第三概略图。

图3是本发明的实施方式涉及的容量结合型等离子体蚀刻装置的一个例子的概略结构图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。其中，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构，标注相同的附图标记，由此省略重复的说明。

(自组织嵌段共聚物(BCP))

已知有在被处理体上使构成嵌段共聚物的第一聚合物和第二聚合物自组织而形成自组织周期图案的、定向自组织技术(DSA：directed self-assembled)。