[发明专利]一种具有裂纹的导电薄膜的高灵敏度传感器及其制作方法在审
申请号: | 201480042994.1 | 申请日: | 2014-12-03 |
公开(公告)号: | CN105612588A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 姜大植;崔瑢桓;李赞锡;徐甲亮;金泰一;崔万秀 | 申请(专利权)人: | 多次元能源系统研究集团;首尔大学校产学协力团;成均馆大学校产学协力团 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 蔡晓红;柯夏荷 |
地址: | 韩国首尔冠岳*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 裂纹 导电 薄膜 灵敏度 传感器 及其 制作方法 | ||
1.一种高灵敏度传感器,其特征在于,包括:
载体;
形成于所述载体至少一面上的导电薄膜;
所述导电薄膜包括裂纹,至少部分所述裂纹具有彼此部分接触的相对的裂 纹面;
在外界物理刺激下,所述相对的裂纹面相对移动,使所述相对的裂纹面的 接触面积变化、或者使所述相对的裂纹面的接触断开-再重新接触,引起所述导 电薄膜的电阻变化,所述传感器通过检测所述电阻变化以测量所述外界物理刺 激。
2.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述裂纹沿所述 导电薄膜的晶界设置。
3.根据权利要求2所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述裂纹为纳米 级裂纹。
4.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述裂纹通过外 界刺激形成电意义上的短路或者开路,以改变导电薄膜的电阻值。
5.根据权利要求4所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述外界刺激包 括位移、振动、拉力、压力,以及所述位移、振动、拉力和压力的结合。
6.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述载体具有多 层结构,包括基膜和形成于基膜上的柔性高分子层。
7.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述导电薄膜的 厚度为0.1纳米至1微米。
8.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述导电薄膜由 至少为一种选自铂金、镍、铜、黄金、银、铁、铬、镁、锌、锡、铝、钴、锰、 钨、镉、钯以及碳中的导电材料形成。
9.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述传感器具有 1至5×108的应变灵敏度因子。
10.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述传感器具 有0.1KPa-1到1000KPa-1的压力灵敏度范围。
11.一种压力传感器,包括如权利要求1至10任一项所述的高灵敏度传感 器。
12.一种拉力仪,包括如权利要求1至10任一项所述的高灵敏度传感器。
13.一种振动传感器,包括如权利要求1至10任一项所述的高灵敏度传感 器。
14.一种人造皮肤,包括如权利要求1至10任一项所述的高灵敏度传感器。
15.一种声音识别系统,如权利要求1至10任一项所述的高灵敏度传感器。
16.一种制作高灵敏度传感器的方法,包括:
在载体的至少一面上形成导电薄膜,及
在导电薄膜中形成裂纹。
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