[发明专利]一种具有裂纹的导电薄膜的高灵敏度传感器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201480042994.1 申请日: 2014-12-03
公开(公告)号: CN105612588A 公开(公告)日: 2016-05-25
发明(设计)人: 姜大植;崔瑢桓;李赞锡;徐甲亮;金泰一;崔万秀 申请(专利权)人: 多次元能源系统研究集团;首尔大学校产学协力团;成均馆大学校产学协力团
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 蔡晓红;柯夏荷
地址: 韩国首尔冠岳*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 具有 裂纹 导电 薄膜 灵敏度 传感器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种高灵敏度传感器,其特征在于,包括:

载体;

形成于所述载体至少一面上的导电薄膜;

所述导电薄膜包括裂纹,至少部分所述裂纹具有彼此部分接触的相对的裂 纹面;

在外界物理刺激下,所述相对的裂纹面相对移动,使所述相对的裂纹面的 接触面积变化、或者使所述相对的裂纹面的接触断开-再重新接触,引起所述导 电薄膜的电阻变化,所述传感器通过检测所述电阻变化以测量所述外界物理刺 激。

2.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述裂纹沿所述 导电薄膜的晶界设置。

3.根据权利要求2所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述裂纹为纳米 级裂纹。

4.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述裂纹通过外 界刺激形成电意义上的短路或者开路,以改变导电薄膜的电阻值。

5.根据权利要求4所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述外界刺激包 括位移、振动、拉力、压力,以及所述位移、振动、拉力和压力的结合。

6.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述载体具有多 层结构,包括基膜和形成于基膜上的柔性高分子层。

7.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述导电薄膜的 厚度为0.1纳米至1微米。

8.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述导电薄膜由 至少为一种选自铂金、镍、铜、黄金、银、铁、铬、镁、锌、锡、铝、钴、锰、 钨、镉、钯以及碳中的导电材料形成。

9.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述传感器具有 1至5×108的应变灵敏度因子。

10.根据权利要求1所述的高灵敏度传感器,其特征在于,所述传感器具 有0.1KPa-1到1000KPa-1的压力灵敏度范围。

11.一种压力传感器,包括如权利要求1至10任一项所述的高灵敏度传感 器。

12.一种拉力仪,包括如权利要求1至10任一项所述的高灵敏度传感器。

13.一种振动传感器,包括如权利要求1至10任一项所述的高灵敏度传感 器。

14.一种人造皮肤,包括如权利要求1至10任一项所述的高灵敏度传感器。

15.一种声音识别系统,如权利要求1至10任一项所述的高灵敏度传感器。

16.一种制作高灵敏度传感器的方法,包括:

在载体的至少一面上形成导电薄膜,及

在导电薄膜中形成裂纹。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于多次元能源系统研究集团;首尔大学校产学协力团;成均馆大学校产学协力团,未经多次元能源系统研究集团;首尔大学校产学协力团;成均馆大学校产学协力团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480042994.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top