[发明专利]图案形成方法以及使用其的蚀刻方法、电子元件的制造方法及电子元件有效
| 申请号： | 201480043085.X | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105431779B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 上羽亮介;加藤启太 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/038 | 分类号： | G03F7/038;G03F7/039;G03F7/40;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 日本东京港区*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 以及 使用 蚀刻 电子元件 制造 | ||
1.一种图案形成方法，其依次包括：
(i)在基板上依次进行下述步骤(i-1)、下述步骤(i-2)及下述步骤(i-3)，而形成第1负型图案的步骤，
(i-1)使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物(1)在所述基板上形成第1膜的步骤，所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物(1)含有因酸的作用而导致极性增大、且对于包含有机溶剂的显影液的溶解性减少的第1树脂，
(i-2)对所述第1膜进行曝光的步骤，
(i-3)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的所述第1膜进行显影的步骤；
(iii)在所述基板的未形成有所述第1负型图案的膜部的区域中，埋设含有第2树脂的树脂组合物(2)来形成下层的步骤；
(iv)使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物(3)在所述下层上形成上层的步骤，所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物(3)含有因酸的作用而导致极性增大、且对于包含有机溶剂的显影液的溶解性减少的第3树脂；
(v)对所述上层进行曝光的步骤；
(vi)使用包含有机溶剂的显影液对所述上层进行显影，而在所述下层上形成第2负型图案的步骤；以及
(vii)将所述下层的一部分去除的步骤。
2.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中所述形成第1负型图案的步骤(i)包含多次依次具有所述步骤(i-1)、所述步骤(i-2)及所述步骤(i-3)的图案形成步骤。
3.根据权利要求2所述的图案形成方法，其中在所述多次的图案形成步骤中，在连续的两次图案形成步骤之间进而具有加热步骤。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法，其中在所述步骤(i)与所述步骤(iii)之间，进而具有加热步骤(ii)。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法，其中在所述步骤(vi)后，进而具有加热步骤。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法，其中所述步骤(i-2)中的曝光、及所述步骤(v)中的曝光的至少任一者为利用KrF准分子激光或ArF准分子激光的曝光。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法，其中所述第1膜的膜厚为20nm～160nm。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法，其中所述下层的膜厚为20nm～160nm。
9.一种蚀刻方法，其将利用根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法所形成的图案作为掩模，对所述基板进行蚀刻处理。
10.一种电子元件的制造方法，其包括根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法。
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