[发明专利]用于原子层沉积的注入头

权利要求书

1.用于在基板上沉积原子层的注入头，包括：

沉积空间(2)，具有前驱体供给部(4)及前驱体排放部(6)；所述供给部及排放部设置成用以提供来自前驱体供给部经由沉积空间到达前驱体排放部的前驱气体流；所述沉积空间在使用中由注入头和基板表面界定出；

流动阻碍部(7)，设置成用于在所述注入头与所述基板表面之间注入阻碍气体流；

另一个沉积空间(3)，具有反应物供给部(40)，所述另一个沉积空间在使用中通过流动阻碍部(7)而与前驱气体隔离开，并且布置成用于提供反应物气体、等离子体、激光产生的辐射和紫外线辐射中的至少一种，以在前驱气体沉积在至少一部分基板表面上后使前驱体发生反应；以及

连接单元(150)，能够与相应的多个气体供给源及排放收集器相连，进而使相应的气体通过所述连接单元进入到相应的前驱体沉积空间、反应物沉积空间以及流动阻碍部；

其中，多个条状物(160)与所述连接单元相连，所述条状物具有带有间隔区异形部(69)的侧壁(165)，所述侧壁分别堆叠到邻近的条状物的侧壁上以形成多个堆叠的条状物；所述条状物包括在条状物的整个长度上延伸的狭槽，所述狭槽与连接单元上相应的狭槽连通，从而限定出穿过所述条状物的、具有相对低的摩擦系数的流动路径，以形成相应的前驱体排放部、反应物排放部或阻碍气体排放部；并且

所述间隔区异形部(69)限定出在邻近的条状物之间延伸的狭缝(161)，所述狭缝(161)与所述连接单元上相应的狭槽(162)连通，从而限定出沿着条状物的、具有相对高的摩擦系数的另一个流动路径，以形成相应的前驱气体供给部、反应物气体供给部或流动阻碍部。

2.根据权利要求1所述的用于在基板上沉积原子层的注入头，其中，所述间隔区异形部由相互间隔开的高部形成。

3.根据权利要求2所述的用于在基板上沉积原子层的注入头，其中，所述相互间隔开的高部具有流动导引曲形部，所述流动导引曲形部布置成使位于所述相互间隔开的高部从流动方向上看的下方的气体流均匀。

4.根据权利要求3所述的用于在基板上沉积原子层的注入头，还包括设置在所述高部从流动方向上看的下方、沿着所述侧壁的长度延伸的分配凹槽。

5.根据权利要求4所述的用于在基板上沉积原子层的注入头，其中，所述凹槽呈带状并且邻近所述高部设置。

6.根据权利要求4所述的用于在基板上沉积原子层的注入头，其中，所述凹槽具有邻近所述高部的扩宽部。

7.根据权利要求6所述的用于在基板上沉积原子层的注入头，其中，所述凹槽限定出1000-2500微米的凹槽宽度，并且其中所述扩宽部为100-500微米。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的用于在基板上沉积原子层的注入头，其中，所述间隔区异形部限定出10-250微米的狭槽宽度。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的用于在基板上沉积原子层的注入头，其中，所述狭槽具有200-1000微米的狭槽宽度。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的用于在基板上沉积原子层的注入头，其中，所述条状物分别具有沿着相对于基板表面限定出沉积空间高度D2的侧壁延伸的曲形部；并且其中所述曲形部具有相对于基板限定出小于所述沉积空间高度D2的缝隙距离D1以形成阻碍气体注入器的正面。

11.用于原子层沉积的设备，包括根据权利要求1-10中任一项所述的用于在基板上沉积原子层的注入头。

12.根据权利要求11所述的用于原子层沉积的设备，还包括设置在所述注入头对面的支撑部，所述支撑部构造成产生抵制流动阻碍压力的气体承载压力布置，使得所述基板通过注入头和支撑部之间的所述气体承载压力布置不用支撑件而实现平衡。

13.根据权利要求11所述的用于原子层沉积的设备，其在片状基板的表面上进行原子层沉积，所述设备还包括输送系统，所述输送系统包括驱动区段(18)；所述驱动区段包括设置成提供基板和注入头沿着基板的平面的相对运动以形成输送平面的运输元件，所述基板沿着所述输送平面在输送方向上朝注入头输送。