[发明专利]用于处理半导体装置的方法及结构

权利要求书

1.一种处理半导体装置的方法，其包括：

将载体衬底暴露于硅烷材料以在所述载体衬底的表面上方形成涂层，所述涂层包括所述硅烷材料和所述载体衬底的硅原子或金属原子的反应产物，所述硅烷材料包括具有选自由以下各项组成的群组的结构的化合物：(XO)₃Si(CH₂)_nY、(XO)₂Si((CH₂)_nY)₂及(XO)₃Si(CH₂)_nY(CH₂)_nSi(XO)₃，其中XO是可水解烷氧基，Y是有机官能基，且n是非负整数；

从所述表面移除所述涂层的至少邻近所述载体衬底的外围的部分以形成所述载体衬底的未经涂覆部分而不移除所述涂层的其余部分；

通过将粘合剂层施涂于所述涂层上方及所述载体衬底的所述未经涂覆部分上方将另一衬底以粘合方式在所述表面上方接合到所述载体衬底，其中所述粘合剂层的粘合剂与所述涂层形成比由与所述载体衬底形成的粘合更弱的粘合；及

将所述另一衬底与所述载体衬底分离。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括从由甲氧基及乙氧基组成的群组中选择XO。

3.根据权利要求1所述的方法，其中Y包括至少一个芳族环。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在将所述另一衬底以粘合方式接合到所述载体衬底之前至少部分地使所述涂层固化。

5.根据权利要求4所述的方法，其中至少部分地使所述涂层固化包括在移除所述涂层的邻近所述载体衬底的所述外围的所述部分之前使所述涂层固化。

6.根据权利要求1所述的方法，其中从所述表面移除所述涂层的至少邻近所述载体衬底的外围的部分包括移除至少部分地经固化涂层的一部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将载体衬底暴露于硅烷材料以在所述载体衬底的表面上方形成涂层包括在所述载体衬底的表面上方形成疏水性涂层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中从所述表面移除所述涂层的至少邻近所述载体衬底的外围的部分包括将所述载体衬底暴露于溶剂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅烷材料包括选自由以下各项组成的群组的材料：1,2-双[三乙氧基硅烷基]乙烷、1,2-双[三甲氧基硅烷基]辛烷及1,2-双[三甲氧基硅烷基]癸烷。

10.根据权利要求1所述的方法，其中将载体衬底暴露于硅烷材料以在所述载体衬底的表面上方形成涂层包括将所述载体衬底暴露于包括所述硅烷材料的溶液。

11.根据权利要求10所述的方法，其中将所述载体衬底暴露于包括所述硅烷材料的溶液包括将所述载体衬底暴露于包括所述硅烷材料及水的溶液。

12.根据权利要求10所述的方法，其中将所述载体衬底暴露于包括所述硅烷材料的溶液包括将所述载体衬底暴露于包括所述硅烷材料及有机溶剂的溶液。

13.根据权利要求12所述的方法，其中将所述载体衬底暴露于包含所述硅烷材料的溶液包括将所述载体衬底暴露于包括5体积百分比硅烷材料、5体积百分比去离子水及90体积百分比甲醇或乙醇的溶液。