[发明专利]抛光新的或翻新的静电夹盘的方法有效
申请号: | 201480043641.3 | 申请日: | 2014-05-07 |
公开(公告)号: | CN105453234B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 吕鸣烨·威廉;小温德尔·格伦·博伊德;斯泰西·迈耶 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/687 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光 翻新 静电 方法 | ||
本发明的实施方式提供适于抛光静电夹盘的抛光环组件及使用的方法。在一个实施方式中,抛光环组件具有保持环组件及静电夹盘固定装置。该保持环组件包含内径及顶部表面、多个外部驱动环,其中所述多个外部驱动环被放置于陶瓷保持环的顶部表面上。该静电夹盘固定装置包含相邻于该陶瓷保持环的内径的静电夹盘驱动平板。该静电夹盘驱动平板具有闭锁以将保持环组件与静电夹盘固定装置固定,而不会经由该闭锁机制由一个组件传递重物跨至其他组件。
发明领域
在此公开的实施方式一般涉及准备使用于半导体处理室的静电夹盘的设备及方法。
相关技术的描述
半导体处理涉及众多不同的化学及物理处理,由此,微型集成电路在基板上生成。形成集成电路的材料层通过化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长及类似方法产生。一些材料层使用光刻胶掩模及湿或干蚀刻技术而图案化。用以形成集成电路的基板可为硅、砷化镓、磷化铟、玻璃、或其他合适的材料。
一般半导体处理室包含:室主体,所述室主体限定处理区、气体分配组件,所述气体分配组件适用以供应气体从气体供应源进入处理区、气体增强器(例如,等离子体产生器),所述气体增强器用以激发处理气体以处理放置于基板支持组件的基板、及气体排气。该基板支持组件可包含夹盘,该夹盘在处理期间维持基板于该基板支持组件。半导体处理室中常用的夹盘的一个例子为静电夹盘。静电夹盘的质量及效能对基板装置效能及良率具有重大的影响。静电夹盘也提供背侧的气体,该气体流经该基板下方以在处理期间帮助维持该基板的温度。静电夹盘的边缘具有密封以防止背侧气体由基板下方流逸。然而,背侧气体的渗漏率常常是不可接受的,即便是新的静电夹盘。
图1图示了传统静电夹盘100。静电夹盘100包含定位盘(puck)120及铝盘130。定位盘120具有底部表面131及顶部表面121。在处理期间顶部表面121支持基板。铝盘130具有底部表面132及顶部表面122。在静电夹盘100的组装期间,在定位盘120的底部表面131与铝盘130的顶部表面122之间,形成接合140以连结定位盘120至铝盘130。然而,接合140时常引起定位盘120的顶部表面121弓起(如图标的参考符号145)。
在等离子体处理期间,平坦的基板(未显示)与定位盘120接触且形成沿着定位盘120的外侧边缘147的密封。然而,定位盘120中的弓起145时常导致该平坦基板与外侧边缘147无法维持持续接触,因此防止定位盘120与基板之间建立良好的密封,而同时增加由基板与定位盘120之间流出的冷却气体的渗漏率。过度的冷却气体漏出增加于定位盘120的顶部表面121上处理的基板的缺陷率。然而,试图由定位盘120移除弓起145导致圆化顶部表面121的边缘147,不利地增加冷却气体的渗漏率。
在等离子体处理期间,受激发的气体通常包含高腐蚀性气体种类而蚀刻及侵蚀静电夹盘100的暴露部分。如果静电夹盘100因试图移除弓起而具有圆化边缘,静电夹盘可能需要工作的更频繁。
因此,有必要改进静电夹盘的背侧气体密封。
本发明的实施方式提供适于抛光静电夹盘的抛光环组件及使用的方法。在一个实施方式中,抛光环组件具有保持环组件及静电夹盘固定装置。该保持环组件包含内径及顶部表面、多个外部驱动环,其中所述多个外部驱动环被放置于陶瓷保持环的顶部表面上。该静电夹盘固定装置包含相邻于该陶瓷保持环的内径的静电夹盘驱动平板。该静电夹盘驱动平板具有闭锁以将保持环组件与静电夹盘固定装置固定,而不会经由该闭锁机制由一个组件传递重物跨至其他组件。
在另一个实施方式中,提供平坦化静电夹盘的方法。该方法包含对着抛光垫放置静电夹盘的顶部表面,该静电夹盘被也对着该抛光垫设置的保持环外切,旋转该抛光垫同时与该静电夹盘及保持环接触,且施加研磨浆至该抛光垫,同时静电夹盘与该保持环接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480043641.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于封装的双面加强焊剂
- 下一篇:磁热致动器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造