[发明专利]用于通过电磁辐射将结构从衬底分离的方法、堆叠和组件

权利要求书

1.一种通过属于一定的光谱范围的电磁辐射将结构(1)从衬底(2)分离的方法，该分离方法具有下列步骤：

a)提供衬底(2)，该衬底(2)在所述光谱范围中是透明的，

b)在衬底(2)上形成至少一个分离层(3)，将该电磁辐射的光谱范围调整为使得分离层(3)在所述光谱范围中是吸收性的，

b1)在分离层(3)上形成热障层(4)，电磁辐射的光谱范围被调整为使得热障层(4)在所述光谱范围中是透明的，

c)在热障层(4)上形成待分离的结构(1)，

d)在给定功率密度下在暴露时段期间，使分离层(3)通过衬底(2)暴露于电磁辐射，使得分离层(3)在所述电磁辐射的吸收所导致的热量的影响下分解，该分离方法的特征在于，电磁辐射是电磁脉冲，并且暴露时段和热障层(4)的标记为E₁的厚度：

-被调整为使得待分离的结构(1)的温度在暴露时段期间保持在阈值之下，在超过所述阈值时在所述结构(1)中会易于出现缺陷，

-符合下述关系：其中，D₁是热障层(4)的热扩散系数，τ是电磁脉冲的持续时间。

2.根据权利要求1所述的分离方法，其特征在于，其具有在衬底(2)上形成附加热障层(5)的步骤a1)，电磁辐射的光谱范围被调整为使得附加热障层(5)在所述光谱范围中是透明的，暴露时段和附加热障层(5)的厚度被调整为使得衬底(2)的温度在暴露时段期间保持在阈值之下，超过所述阈值时在所述衬底(2)中会易于出现缺陷，并且步骤b)执行为使得分离层(3)形成在附加热障层(5)上。

3.根据权利要求2所述的分离方法，其特征在于，电磁辐射是电磁脉冲，并且暴露时段和附加热障层(5)的标记为E2的厚度符合下述关系：其中，D₂是附加热障层(5)的热扩散系数，τ是电磁脉冲的持续时间。

4.根据权利要求2或3所述的分离方法，其特征在于，热障层(4)和附加热障层(5)各具有热扩散系数，并且电磁辐射的暴露时段以及所述热扩散系数被调整为使得由分离层(3)对电磁辐射的吸收所导致的热量被限制在热障层(4)与附加热障层(5)之间。

5.根据权利要求2所述的分离方法，其特征在于，附加热障层(5)是由晶格常数在衬底(2)的晶格常数与分离层(3)的晶格常数之间的材料制造的，步骤a1)和步骤b)通过外延来执行。

6.根据权利要求1或2所述的分离方法，其特征在于，热障层(4)是由晶格常数在待分离的结构(1)的晶格常数与分离层(3)的晶格常数之间的材料形成的，步骤c)和步骤d)通过外延来执行。

7.根据权利要求1或2所述的分离方法，其特征在于，衬底(2)包括GaN，分离层(3)包括In_(x)Ga_(1-x)N，0.10≤x≤0.20，热障层(4)和/或附加热障层(5)包括AlGaN，电磁辐射的光谱范围在400到450nm之间。

8.根据权利要求1或2所述的分离方法，其特征在于，衬底(2)包括InP，分离层(3)包括In_(x)Ga_(1-x)As，热障层(4)和/或附加热障层(5)包括InAlAs，电磁辐射的光谱范围在1000到3500nm之间。

9.根据权利要求1或2所述的分离方法，其特征在于，步骤d)是通过至少一个与光参量振荡器相关联的发射电磁辐射的激光器而执行的。