[发明专利]磁性带和屏蔽电缆

说明书

技术领域

本发明涉及磁性带和屏蔽电缆。

背景技术

以往，提出用于防止EMI(ElectroMagneticInterference：电磁干 扰)的高频衰减电缆(例如，参照专利文献1)。

该高频衰减电缆是在导体线的周围将由磁性材料构成的磁性带以 部分重合的方式卷绕成螺旋状而成的。由此，从导体线释放出的电磁波 噪声因磁性带而衰减，并且能够确保挠性。磁性带一般通过切割加工即 按一定宽度将较大宽度的长条状的片材连续地切割，卷绕于辊、卷轴而 形成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开昭62-190609号公报

发明内容

但是，根据以往的高频衰减电缆，磁性带在切割加工时在宽度方向 的两端面产生毛边，因此在将磁性带卷绕成螺旋状时毛边的前端与带的 表面接触而使带浮起，实效导磁率有可能降低。

因此，本发明的目的在于提供当卷绕在导体线上时不易产生带的浮 起，由此能够抑制实效导磁率的降低的磁性带和屏蔽电缆。

本发明出于解决上述课题的目的，提供一种磁性带，是按一定宽度 将由磁性材料构成的长条状的片材连续地切割而形成的磁性带，该磁性 带至少在背面沿长边方向具有槽，上述槽收容一对毛边中的至少一方的 毛边，上述一对毛边在切割上述长条状的片材时形成于宽度方向两端 面。

另外，本发明出于解决上述课题的目的，提供一种磁性带，是按一 定宽度将在背面形成有树脂层的由磁性材料构成的长条状的片材连续 地切割而形成的磁性带，该磁性带至少在背面沿长边方向具有槽，上述 槽收容一对毛边中的至少一方的毛边，上述一对毛边在切割上述长条状 的片材时形成于宽度方向两端面。

上述磁性材料可以为非晶合金。另外，上述磁性材料可以是对非晶 合金实施了纳米晶化的热处理而得的纳米晶软磁合金，上述非晶合金含 有Fe、Si、B、Cu，还含有选自Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W中 的至少1种元素。

本发明出于解决上述课题的目的，提供一种屏蔽电缆，该屏蔽电缆 具备绝缘电线和磁性带层，该绝缘电线用绝缘体被覆导体线的周围而 成，该磁性带层在上述绝缘电线的周围卷绕磁性带而形成，上述磁性带 是按一定宽度将由磁性材料构成的长条状的片材连续地切割而形成的 磁性带，至少在朝向上述绝缘电线侧的一面沿长边方向具有槽，上述槽 收容一对毛边中的至少一方的毛边，上述一对毛边在切割上述长条状的 片材时形成于宽度方向两端面。

另外，本发明出于解决上述课题的目的，提供一种屏蔽电缆，该屏 蔽电缆具备绝缘电线和磁性带层，该绝缘电线用绝缘体被覆导体线的周 围而成，该磁性带层在上述绝缘电线的周围卷绕磁性带而形成，上述磁 性带是按一定宽度将在上述绝缘电线侧的一面形成有树脂层的由磁性 材料构成的长条状的片材连续地切割而形成的磁性带，至少在朝向上述 绝缘电线侧的一面沿长边方向具有槽，上述槽收容一对毛边中的至少一 方的毛边，上述一对毛边在切割上述长条状的片材时形成于宽度方向两 端面。

构成上述磁性带的上述磁性材料可以为非晶合金。另外，构成上述 磁性带的上述磁性材料可以是对非晶合金实施了纳米晶化的热处理而 得的纳米晶软磁合金，上述非晶合金含有Fe、Si、B、Cu，还含有选自 Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W中的至少1种元素。

根据本发明，当卷绕在导体线上时不易产生带的浮起，由此能够抑 制实效导磁率的降低。

附图说明

图1是表示本发明的第1实施方式的屏蔽电缆的简要构成的立体 图。

图2是图1所示的屏蔽电缆的横截面图。

图3是表示将第1实施方式的磁性带卷绕在树脂带层的周围的状态 的局部截面图。

图4是图3所示的磁性带的横截面图。

图5A是表示第1实施方式的磁性带的制造工序的一个例子的截面 图。

图5B是表示第1实施方式的磁性带的制造工序的一个例子的截面 图。

图5C是表示第1实施方式的磁性带的制造工序的一个例子的截面 图。

图6是表示将本发明的第2实施方式的磁性带卷绕在树脂带层的周 围的状态的局部截面图。

图7是图6所示的磁性带的横截面图。

具体实施方式