[发明专利]缸活塞单元和持续地检测该单元的缸和活塞之间的相互位置的方法有效

专利信息
申请号: 201480044388.3 申请日: 2014-07-24
公开(公告)号: CN105473873B 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: A·马格里昂;N·巴蒂斯蒂 申请(专利权)人: 光电意大利有限公司;朱利安尼有限公司
主分类号: F15B15/28 分类号: F15B15/28;G01D5/347;G01D5/246;G01D5/36;H03M1/24
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 丁晓峰
地址: 意大利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 活塞 单元 持续 检测 之间 相互 位置 方法
【权利要求书】:

1.一种缸活塞单元,包括:

-至少一个包括管状本体(2)的缸;

-至少一个活塞(5),所述活塞能随着相应的杆(5a)滑动,且所述活塞(5)和所述杆(5a)能在所述缸的所述管状本体(2)中纵向地平移,

-至少一个参考编号(C),所述至少一个参考编号沿着所述杆(5a)的纵向轴线在所述杆(5a)的表面上延伸至少一个部段(dC);

-至少一个检测装置(7),所述至少一个检测装置可动地锚定于所述管状本体(2),并且在使用中面向所述杆(5a)并适合于检测所述至少一个参考编号(C)并且在输出中发出至少一个对应的输出电信号(s7),

-至少一个由所述检测装置(7)界定的具有幅值d7c的检测区域(7c),所述至少一个参考编号(C)可对应于所述至少一个检测区域(7c)而被检测;

其特征在于,

-所述至少一个参考编号(C)包括至少多个邻接的区段…,Si-1,Si,Si+1,…,所述区段沿着所述杆(5a)的所述纵向轴线延伸,且每个区段均延伸相等长度的段dSi;

-每个区段Si均包括多个光学对比区域(si1、si2、si3),每个光学对比区域均沿着所述杆(5a)的所述纵向轴线延伸相应的延伸段(dsi1、dsi2、dsi3),以使得每个区段Si中所述延伸段的延伸总和(dsi1+dsi2…)小于或等于所述检测区域(7c)的所述幅值d7c;

-所述光学对比区域(si1、si2、si3)在每个区段Si中按照相同顺序设置;以及

其中,

在每个区段Si中,至少一个光学对比区域(si1、si2、si3)示出,所述至少一个相应的延伸段(dsi1、dsi2、dsi3)所具有的长度不同于在其他区段Si-2、Si-1、Si+1、Si+2…中同一延伸段的长度,因此每个区段Si保持仅仅可由将所述区段包括在其中的所述光学对比区域(si1、si2、si3)的所述至少一个延伸段(dsi1、dsi2、dsi3)的长度限定。

2.如权利要求1所述的缸活塞单元,其特征在于,所述至少一个检测装置(7)包括至少一个光辐射(RL)的发射器装置(7a)和至少一个所述光辐射(RL)的传感器装置(7b),所述传感器装置沿着平行于所述杆(5a)的纵向轴线的轴线设置。

3.如权利要求2所述的缸活塞单元,其特征在于,包括所述至少一个输出电信号(s7)的数据控制和细化单元(14),所述数据控制和细化单元(14)电气地连接于所述检测装置(7)。

4.如权利要求3所述的缸活塞单元,其特征在于,包括调节装置,所述调节装置调节可由光辐射(RL)的所述至少一个发射器装置(7a)供给的光强度,且所述调节装置电气地连接于所述数据控制和细化单元(14)。

5.如权利要求1所述的缸活塞单元,其特征在于,可动地锚定于所述管状本体(2)的所述至少一个检测装置(7)可接纳地设置在所述缸中的至少一个贯穿接纳基座(6)中。

6.如权利要求1所述的缸活塞单元,其特征在于,包括至少一个盘状本体(8),所述至少一个盘状本体可动地锚定于所述缸并且设有至少一个贯穿接纳基座(6),所述贯穿接纳基座适合于容纳所述至少一个检测装置(7)。

7.一种持续地检测缸活塞单元的缸和活塞之间的相互位置的方法,所述方法包括如下阶段:

-设置根据权利要求1至6中任一项所述的缸活塞单元;

-激活所述至少一个检测装置(7)(阶段100);

-对所述检测装置(7)的输出中的所述至少一个输出电信号(s7)进行细化(阶段200);

-根据所述细化(阶段200),发出与在此刻呈现在所述缸和所述活塞(5)之间的相互位置相关联的指数P;

其特征在于,

所述至少一个输出电信号(s7)的所述细化阶段包括在所述至少一个输出电信号(s7)上测量所述光学对比区域(si1、si2、si3)的所述至少一个延伸段(dsi1、dsi2、dsi3)的长度(阶段220),将结果完全地表示在所述输出电信号(s7)中。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述细化阶段(阶段220)包括如下阶段:限定由所述检测装置(7)检测的所述输出电信号(s7)的上升和/或下降边缘si1a、si1b、si2a、si2b的位置。

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