[发明专利]半导体结构和制造半导体结构的方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：

形成交替电介质材料和控制栅极材料的堆叠，所述堆叠的所述电介质材料中的每一者包括经调配以在暴露于相同蚀刻化学过程时具有不同移除速率的至少两个材料部分；

形成通过交替电介质材料和控制栅极材料的所述堆叠的开口；

移除所述控制栅极材料的部分以形成邻近所述控制栅极材料的控制栅极凹陷部；

移除邻近所述控制栅极凹陷部的所述电介质材料的部分以增大所述控制栅极凹陷部的高度；

形成邻近所述控制栅极材料的暴露表面的电荷阻挡材料；以及

使用电荷存储材料填充所述控制栅极凹陷部以形成电荷存储结构,

其中所述电荷存储结构中的每一者具有与邻近的所述控制栅极材料实质上相同的高度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成交替电介质材料和控制栅极材料的堆叠包括：

形成交替氧化物材料和控制栅极材料的堆叠，所述堆叠的所述氧化物材料中的每一者包括至少两个不同密度的氧化物部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成交替氧化物材料和控制栅极材料的堆叠包括：

在从约25瓦特到约200瓦特的RF功率下通过化学气相沉积工艺形成包括至少两个不同密度的氧化物部分的所述氧化物材料。

4.根据权利要求2所述的方法，其中形成交替氧化物材料和控制栅极材料的堆叠包括：

在一个反应室中通过原位化学气相沉积工艺形成各自包括至少两个不同密度的氧化物部分的所述氧化物材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成交替电介质材料和控制栅极材料的堆叠包括：

形成交替电介质材料和控制栅极材料的堆叠，所述堆叠的所述电介质材料中的每一者包括至少第一材料部分和第二材料部分，所述第一材料部分经调配以在暴露于相同蚀刻化学过程时具有比所述第二材料部分的蚀刻速率大至少约2倍的蚀刻速率。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成交替电介质材料和控制栅极材料的堆叠包括：

形成交替电介质材料和控制栅极材料的堆叠，所述堆叠的所述电介质材料中的每一者包括顶部材料部分、中间材料部分和底部材料部分，其中所述顶部材料部分在暴露于相同蚀刻化学过程时具有与所述底部材料部分实质上相同的移除速率和高于所述中间材料部分的移除速率的移除速率。

7.根据权利要求6所述的方法，其中形成交替电介质材料和控制栅极材料的堆叠，所述堆叠的所述电介质材料中的每一者包括顶部材料部分、中间材料部分和底部材料部分，包括：

形成包括氧化硅材料的所述顶部材料部分和底部材料部分以及包括氮化硅材料的所述中间材料部分。

8.根据权利要求6所述的方法，其中形成交替电介质材料和控制栅极材料的堆叠，所述堆叠的所述电介质材料中的每一者包括顶部材料部分、中间材料部分和底部材料部分，包括：

形成包括氧化硅材料的所述顶部材料部分和底部材料部分以及包括氮氧化硅材料的所述中间材料部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述电荷存储结构的暴露表面上形成隧道电介质材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用沟道材料填充所述开口。

11.一种半导体结构，其包括：

交替电介质材料和控制栅极的堆叠，所述堆叠的所述电介质材料中的每一者包括至少两个不同密度的部分；

电荷存储结构，其侧向邻近于所述控制栅极，其中所述电荷存储结构中的每一者具有与邻近的所述控制栅极实质上相同的高度；

电荷阻挡材料，其在所述电荷存储结构中的每一者与邻近的所述控制栅极之间；

以及

沟道材料，其延伸通过交替电介质材料和控制栅极的所述堆叠。