[发明专利]半导体元件衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件衬底，其特征在于：

呈矩阵状地配置有多个半导体器件，沿着相互相邻的半导体器件间的划线不连续地配置有多个孔，在该多个孔的周围分别形成有元件分离用的隔离扩散层。

2.如权利要求1所述的半导体元件衬底，其特征在于：

所述多个孔从衬底两面分别沿着所述划线形成，所述元件分离用的一种导电型的各隔离扩散层形成为从该衬底两面达到深度方向中央部，至少一部分在相邻孔之间和上下相互重叠。

3.如权利要求2所述的半导体元件衬底，其特征在于：

从所述衬底正面形成的多个孔的节距和从所述衬底背面形成的多个孔的节距形成为相互错开。

4.如权利要求2或3所述的半导体元件衬底，其特征在于：

在所述划线的方向上相邻的所述相邻孔之间的连接部分的距离，和所述衬底正面的孔的底面与所述衬底背面的孔的底面之间的深度方向距离相同。

5.一种半导体元件衬底的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底的单面或者两面形成沿着划线的不连续的多个孔的孔形成工序；

经由该孔从晶片两面将杂质进行离子注入来形成杂质区域的杂质注入工序；

通过加热处理将该杂质区域扩散而形成隔离扩散层的隔离扩散工序；和

在每个由该隔离扩散层包围的元件分离区域中形成半导体器件的半导体器件形成工序。