[发明专利]用于金属导电性强化的磁场导引式晶体方向系统

权利要求书

1.一种操作磁场导引式晶体方向系统的方法，包括：

提供晶片，所述晶片包括晶片基板；

于所述晶片基板上沉积基底层，所述基底层具有晶粒；

使用10特斯拉或更大的磁场来对准所述基底层的晶粒的晶体方向；及

于所述基底层上形成互连，所述互连中的晶粒的晶体方向匹配于所述基底层的晶粒的晶体方向。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：利用加热元件来熔化所述基底层。

3.如权利要求1所述的方法，其中对准所述基底层的晶粒的晶体方向包括：

使用所述磁场对准所述基底层的晶粒的晶体方向，同时所述基底层处于熔化状态，用于形成小角度的晶界；以及

在对准所述基底层的晶粒的晶体方向之后，允许所述基底层凝固。

4.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：

利用磁组件产生所述磁场。

5.如权利要求1所述的方法，其中提供包括所述晶片基板的所述晶片包括：

提供具有沟槽的所述晶片基板。

6.一种操作磁场导引式晶体方向系统的方法，包括：

提供晶片，所述晶片包括晶片基板，所述晶片基板具有沟槽；

于所述沟槽中与所述晶片基板上沉积基底层，所述基底层具有晶粒；

利用加热元件来熔化所述基底层；

利用磁组件来产生10特斯拉或更大的磁场；

使用所述磁场来对准所述基底层的晶粒的晶体方向，同时所述基底层处于熔化状态中，用于形成小角度的晶界；

在对准所述基底层的晶粒的晶体方向之后，允许所述基底层凝固；及

于所述基底层上与所述沟槽中形成互连，所述互连中的晶粒的晶体方向匹配于所述基底层的晶粒的晶体方向。

7.如权利要求6所述的方法，其中沉积所述基底层包括：沉积反磁性或顺磁性的材料。

8.如权利要求6所述的方法，其中沉积所述基底层包括：沉积反磁性或顺磁性的材料，所述反磁性或顺磁性的材料选自铜、金、钨、铂或锰的组。

9.如权利要求6所述的方法，其中利用加热元件来熔化所述基底层包括：利用具有550nm与580nm之间的波长的激光来熔化所述基底层。

10.如权利要求6所述的方法，其中允许所述基底层凝固包括设计特定冷却分布，包括：

利用来自所述加热元件的第一脉冲或脉冲组来熔化所述基底层；及

降低来自所述加热元件的后来的脉冲的强度。

11.一种磁场导引式晶体方向系统，包括：

工作平台；

加热元件，所述加热元件在所述工作平台之上，所述加热元件用于选择性地加热在晶片基板上的基底层，所述基底层具有晶粒，其中所述晶片基板是所述工作平台上的晶片的一部分；及

磁组件，所述磁组件相对于所述加热元件而固定，所述磁组件用于使用10特斯拉或更大的磁场来对准所述基底层的晶粒，以形成互连，所述互连具有所述互连中的晶粒的晶体方向匹配于所述基底层的晶粒的晶体方向。

12.如权利要求11所述的系统，其中所述加热元件用于：使用所述加热元件来熔化所述基底层。

13.如权利要求11所述的系统，其中：

所述磁组件用于：使用所述磁场来对准所述基底层的晶粒的晶体方向，同时所述基底层处于熔化状态中，用于形成小角度的晶界；及

所述加热元件具有可调整的输出强度，用于对准所述基底层的晶粒的晶体方向。

14.如权利要求11所述的系统，其中所述磁组件用于产生所述磁场。