[发明专利]半导体薄膜制造中的变频微波（VFM）工艺及应用

权利要求书

1.一种用于处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：

将基板定位在物理气相沉积腔室中，所述基板包括第一表面；

在所述基板的所述第一表面上沉积未固化层，所述未固化层包含聚合物、环氧树脂、或上述两者的组合；及

执行所述未固化层的硬固化，所述硬固化包括以下步骤：

将至少所述未固化层加热至脱气温度，所述脱气温度低于用于所述未固化层的硬固化温度；

将所述物理气相沉积腔室设定至硬固化压力，所述硬固化压力低于100毫托；

将微波辐射的来源导向所述未固化层，所述微波辐射的来源在选自小于7GHz的频率范围的频率下产生微波辐射；及

在变频下从所述微波辐射的来源将所述微波辐射传递至所述未固化层以将所述未固化层加热至所述硬固化温度，以产生固化层，所述变频包括选自所述频率范围的两个或更多个频率，所述变频在一时间段内变化。

2.如权利要求1所述的方法，其中硬固化温度为300℃与400℃之间的温度。

3.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括沉积阻挡种晶层或种晶层。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述硬固化压力小于1毫托。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述频率范围从5850MHz至6650MHz，并且其中所述变频包括两个或更多个频率，每一频率与先前频率相差从200MHz至280MHz。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述时间段在6分钟与10分钟之间，并且其中所述变频变化以从20微秒至30微秒的时间间隔在所述时间段期间发生。

7.一种用于处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：

将基板定位在物理气相沉积腔室中，所述基板包括第一表面；

在所述基板的所述第一表面上沉积未固化层，所述未固化层包含聚合物、环氧树脂、或上述两者的组合；

对所述未固化层执行软固化，所述软固化包括将所述基板或所述腔室加热至软固化温度，及将所述腔室设定至软固化压力以从所述未固化层产生软固化的层；

将所述物理气相沉积腔室设定至硬固化压力，所述硬固化压力低于100毫托；

将微波辐射的来源导向所述软固化的层，所述微波辐射的来源在选自小于7GHz的频率范围的频率下产生微波辐射；及

在变频下从所述微波辐射的来源将所述微波辐射传递至所述软固化的层，以在硬固化温度下硬固化至少所述软固化的层，所述变频包括选自一时间段内的所述频率范围的两个或更多个频率。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述硬固化温度为300℃与400℃之间的温度。

9.如权利要求7所述的方法，所述方法进一步包括沉积阻挡种晶层或种晶层。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述软固化压力、所述硬固化压力、或两者低于1毫托。

11.如权利要求7所述的方法，其中所述频率范围从5850MHz至6650MHz。

12.如权利要求7所述的方法，其中所述变频包括两个或更多个频率，每一频率与先前频率相差从200MHz至280MHz。

13.如权利要求7所述的方法，所述方法进一步包括在传递所述微波辐射之前的浸渍阶段。

14.如权利要求7所述的方法，其中所述时间段在6分钟与10分钟之间。

15.如权利要求7所述的方法，其中所述变频变化以从20微秒至30微秒的时间间隔在所述时间段期间发生。