[发明专利]光伏装置及制作方法

权利要求书

1.一种光伏装置，包括：

层叠；以及

吸收体层，安置在所述层叠上，其中所述吸收体层包括硒，且其中 硒的原子浓度跨所述吸收体层的厚度非线性变化。

2.如权利要求1所述的光伏装置，其中所述硒的原子浓度跨所述吸 收体层的厚度非单调地变化。

3.如权利要求1所述的光伏装置，其中所述吸收体层中的硒的原子 浓度具有包括指数分布、顶帽分布、阶跃改变分布、锯齿分布、方波分 布、幂律分布或其组合的分布。

4.如权利要求1所述的光伏装置，其中所述吸收体层包括第一区域 和第二区域，所述第一区域安置成相对于所述第二区域接近所述层叠， 以及

其中，所述第一区域中硒的平均原子浓度大于所述第二区域中硒的 平均原子浓度。

5.如权利要求1所述的光伏装置，其中所述吸收体层包括第一区域 和第二区域，所述第一区域安置成相对于所述第二区域接近所述层叠， 以及

其中，所述第一区域中硒的平均原子浓度低于所述第二区域中硒的 平均原子浓度。

6.如权利要求1所述的光伏装置，其中所述吸收体层包括第一区域 和第二区域，所述第一区域安置成相对于所述第二区域接近所述层叠， 以及

其中，所述第一区域具有比所述第二区域的带隙更低的带隙。

7.如权利要求1所述的光伏装置，其中所述吸收体层还包括镉和 碲。

8.如权利要求7所述的光伏装置，其中所述吸收体层还包括硫、氧、 铜、氯或其组合。

9.如权利要求1所述的光伏装置，其中在所述吸收体层中，至少部 分硒以三元化合物、四元化合物或其组合的形式存在。

10.如权利要求1所述的光伏装置，其中所述吸收体层包括多个层， 且其中硒的浓度跨所述多个层变化。

11.如权利要求1所述的光伏装置，其中所述层叠包括：

安置在支撑件上的透明传导层；以及

安置在所述透明传导层和所述吸收体层之间的缓冲层。

12.如权利要求11所述的光伏装置，其中所述层叠还包括安置在所 述缓冲层和所述吸收体层之间的中间层。

13.如权利要求11所述的光伏装置，其中所述层叠还包括安置在所 述缓冲层和所述吸收体层之间的窗口层。

14.如权利要求13所述的光伏装置，其中所述窗口层包括硫化镉、 氧化硫化镉、硫化锌、硫化镉锌、硒化镉、硒化铟、硫化铟或其组合。

15.如权利要求1所述的光伏装置，其中所述装置基本没有硫化镉 层。

16.一种光伏装置，包括：

层叠，包括：

安置在支撑件上的透明传导氧化物层、安置在所述透明传导 氧化物层上的缓冲层和安置在所述缓冲层上的窗口层；以及

吸收体层，安置在所述层叠上，其中所述吸收体层包括硒， 以及其中硒的原子浓度跨所述吸收体层的厚度非线性变化。

17.一种制作光伏装置的方法，包括：

提供层叠上的吸收体层，其中所述吸收体层包括硒，以及其中硒的 原子浓度跨所述吸收体层的厚度非线性变化。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述硒的原子浓度跨所述吸收 体层的厚度非单调地变化。

19.如权利要求17所述的方法，其中提供吸收体层的步骤包括采用 硒源与半导体材料接触。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述硒源包括元素硒、硒化镉、 硒化氢、有机金属硒或其组合。

21.如权利要求19所述的方法，其中所述半导体材料包括镉和碲。