[发明专利]涂覆的颗粒过滤器

权利要求书

1.一种多孔陶瓷基体，包含具有至少50％v/v的孔隙率的多孔基体载体，其中，所述孔隙率是根据DIN66133通过压泵法测量的，所述载体进一步包含氧化物组分的不均匀涂层，其中，所述氧化物组分选自由氧化铝、二氧化钛、二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、铌、镨、或它们的混合物所组成的组中，所述氧化物组分分散在所述基体载体的表面上和所述基体载体的闭端孔隙中，并且在所述基体载体上生成所述不均匀涂层，其中，所述涂层具有基本上光滑的表面。

2.根据权利要求1所述的多孔陶瓷基体，其中，所述氧化物组分由纳米颗粒如具有1nm至900nm范围内的平均直径的纳米颗粒构成。

3.根据权利要求1-3中任一项所述的多孔陶瓷基体，其中，所述氧化物组分以20-100g/l如40-100g/l的每体积的量存在。

4.根据权利要求1-4中任一项所述的多孔陶瓷基体，其中，所述氧化物组分分散在至少80％的所述基体载体的表面上。

5.根据权利要求5所述的多孔陶瓷基体，其中，所述氧化物组分分散在所述基体载体的整个表面上。

6.根据任一前述权利要求所述的多孔陶瓷基体，其中，所述多孔基体载体包含莫来石或堇青石或含有非氧化物无机硅的组分如选自SiC和Si₃N₄的组中。

7.根据任一前述权利要求所述的多孔陶瓷基体，其中，所述基体载体基本上由SiC构成。

8.根据任一前述权利要求所述的多孔陶瓷基体，其中，所述基体载体的孔隙率为至少60％v/v如至少65％，并且不大于75％。

9.一种多孔陶瓷基体，包含具有至少50％v/v的孔隙率的多孔基体载体，其中，所述孔隙率是根据DIN66133通过压泵法测量的，所述载体进一步包含a)与所述基体载体的表面接触的氧化物组分的第一不均匀涂层，其中，所述氧化物组分选自由氧化铝、二氧化钛、二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、铌、镨或它们的混合物所组成的组中，所述氧化物组分分散在所述基体载体的表面上和所述基体载体的闭端孔隙中，并在所述基体载体上生成不均匀涂层，其中，第一涂层具有基本上光滑的表面以及b)与所述第一涂层的光滑表面直接接触的SCR催化活性材料的第二涂层。

10.根据权利要求9所述的多孔陶瓷基体，其中，所述氧化物组分由纳米颗粒如具有1nm至900nm范围内的平均直径的纳米颗粒构成。

11.根据权利要求9-10中任一项所述的多孔陶瓷基体，其中，所述氧化物组分以20-100g/l如40-100g/l的每体积的量存在。

12.根据权利要求9-11中任一项所述的多孔陶瓷基体，其中，所述氧化物组分分散在至少80％的所述基体载体的表面上。

13.根据权利要求12所述的多孔陶瓷基体，其中，所述氧化物组分分散在所述基体载体的整个表面上。

14.根据前述权利要求9-13中任一项所述的多孔陶瓷基体，其中，所述多孔基体载体包含莫来石或堇青石或含有非氧化物无机硅的组分如选自SiC和Si₃N₄的组中。

15.根据前述权利要求9-14中任一项所述的多孔陶瓷基体，其中，所述多孔基体载体基本上由SiC构成。

16.根据前述权利要求9-15中任一项所述的多孔陶瓷基体，其中，陶瓷基体载体的孔隙率为至少60％如至少65％，并且不大于75％。

17.根据前述权利要求9-16中任一项所述的多孔陶瓷基体，其中，所述SCR催化活性材料以120g/l或更低如25-100g/l，例如40至100g/l的量存在。

18.根据前述权利要求9-17中任一项所述的多孔陶瓷基体，其中，所述SCR催化活性材料选自非交换、部分或完全金属交换的ZSM-5、β-沸石、菱沸石、镁碱沸石、丝光沸石、八面沸石和它们的组合的组中。

19.根据前述权利要求9-18中任一项所述的多孔陶瓷基体，其中，所述SCR催化活性材料选自混合金属氧化物如由来自过渡或稀土金属和它们的组合的组的至少两种金属氧化物构成的组中。