[发明专利]氧化物半导体基板及肖特基势垒二极管元件

权利要求书

1.一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、肖特基电极层及欧姆电极层，且所述氧化物半导体层包含含有铟的多晶和/或非晶质的氧化物半导体，

在所述氧化物半导体层中，铟的含量相对于全部金属元素的含量的原子组成百分率([In]/([In]+[In以外的全部金属元素])×100)为30原子％～100原子％，

在所述硅基板上形成所述氧化物半导体层，在所述氧化物半导体层上形成所述肖特基电极层，所述欧姆电极层形成在所述硅基板的与配置有所述肖特基电极层的一侧相反的一侧，

在所述氧化物半导体为多晶时，所述氧化物半导体包含In和选自Al、Ga、Hf及Sn中的1种以上。

2.一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、肖特基电极层及欧姆电极层，且所述氧化物半导体层包含含有铟的多晶和/或非晶质的氧化物半导体，

在所述氧化物半导体层中，铟的含量相对于全部金属元素的含量的原子组成百分率([In]/([In]+[In以外的全部金属元素])×100)为30原子％～100原子％，

在所述硅基板上形成所述肖特基电极层，在所述肖特基电极层上形成所述氧化物半导体层，在所述氧化物半导体层上形成所述欧姆电极层，

在所述氧化物半导体为多晶时，所述氧化物半导体包含In和选自Al、Ga、Hf及Sn中的1种以上。

3.一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、肖特基电极层及欧姆电极层，且所述氧化物半导体层包含含有铟的多晶和/或非晶质的氧化物半导体，

在所述氧化物半导体层中，铟的含量相对于全部金属元素的含量的原子组成百分率([In]/([In]+[In以外的全部金属元素])×100)为30原子％～100原子％，

在所述硅基板上形成所述欧姆电极层，在所述欧姆电极层上形成所述氧化物半导体层，在所述氧化物半导体层上形成所述肖特基电极层，

在所述氧化物半导体为多晶时，所述氧化物半导体包含In和选自Al、Ga、Hf及Sn中的1种以上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的肖特基势垒二极管元件，其中，所述氧化物半导体层的膜厚为200nm～20μm。

5.如权利要求1～3中任一项所述的肖特基势垒二极管元件，其中，在所述氧化物半导体为非晶质的氧化物半导体时，所述非晶质的氧化物半导体包含选自In、Ti、Zn、Ga及Sn中的1种以上。

6.如权利要求1～3中任一项所述的肖特基势垒二极管元件，其中，在所述氧化物半导体层为非晶质的氧化物半导体时，所述非晶质的氧化物半导体包含选自In₂O₃、TiO₂、ZnO、Ga₂O₃及SnO中的1种以上。

7.如权利要求1～3中任一项所述的肖特基势垒二极管元件，其中，在所述氧化物半导体层为非晶质的氧化物半导体时，所述非晶质的氧化物半导体包含Ti、Zn、Ga或Sn固溶于In₂O₃中的氧化物。

8.如权利要求1～3中任一项所述的肖特基势垒二极管元件，其中，在所述氧化物半导体层为非晶质的氧化物半导体时，所述非晶质的氧化物半导体包含In与Ti、Zn、Ga或Sn的复合氧化物。

9.如权利要求5所述的肖特基势垒二极管元件，其中，在所述氧化物半导体层为非晶质的氧化物半导体时，所述非晶质的氧化物半导体还包含选自Al、Hf及Sm中的1种以上的元素。

10.如权利要求1～3中任一项所述的肖特基势垒二极管元件，其中，所述氧化物半导体为多晶，包含选自Al、Ga和Hf中的1种以上的元素，所述元素的含量为所述氧化物半导体层中所含的全部金属元素中的3原子％以上且30原子％以下。