[发明专利]基板处理系统、离子植入系统及束线离子植入系统

权利要求书

1.一种离子植入系统，其特征在于包括：

离子源；

处理腔，其中配置有基板；以及

硅衬垫，粘附于所述离子植入系统的内壁上，其中所述硅衬垫的暴露(100)结晶表面经由氢氧化物的溶液蚀刻而被化学粗糙化而形成粗糙化的表面，使所述粗糙化的表面包括高度小于二十微米的多个微角锥，且经由移除增长的镀膜和化学蚀刻来恢复所述硅衬垫的粗糙程度。

2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述硅衬垫配置于所述系统暴露于重离子束撞击的区域。

3.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括位于质量分析仪里面的导管，其中所述硅衬垫配置在所述质量分析仪的所述导管中。

4.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括聚焦元件，其中所述硅衬垫配置于所述聚焦元件上。

5.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括加速或减速电极组件，其接近所述处理腔配置，其中所述硅衬垫配置在所述加速或减速电极组件上。

6.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括分析孔径，其接近质量分析仪的输出端配置，其中所述硅衬垫配置在所述分析孔径上。

7.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述硅衬垫配置在电性偏压的表面上，其中掺杂所述硅衬垫以便减少所述硅衬垫的整体电阻值。

8.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述硅衬垫的所述粗糙化的表面包括化学处理表面。

9.一种束线离子植入系统，其特征在于包括：

离子源；

电极，配置于所述离子源外以吸引所述离子源中产生的离子来形成离子束；

质量分析仪，所述离子束通过所述质量分析仪；

分析孔径，位于所述质量分析仪的输出端以允许具有所需荷质比的离子通过；

聚焦元件，位于所述离子束的路径中使所述离子束聚焦；

处理腔，基板配置其中；以及

硅衬垫，粘附于环绕所述分析孔径的外壳上或所述聚焦元件上，其中所述硅衬垫面对所述离子束的暴露(100)结晶表面被氢氧化物的溶液蚀刻而化学粗糙化，以致所述粗糙化的表面包括高度小于二十微米的多个微角锥，且经由移除增长的镀膜和化学蚀刻来恢复所述硅衬垫的粗糙程度。

10.一种基板处理系统，其特征在于包括：

处理腔，具有多个腔壁，基板配置其中；

进给气体源，其和所述处理腔相通，供给进给气体到所述处理腔；

电浆产生器，由所述进给气体产生电浆；以及

硅衬垫，粘附于所述处理腔的所述腔壁的至少一个的表面上，其中所述硅衬垫朝向所述处理腔的内侧的暴露(100)结晶表面经由氢氧化物的溶液蚀刻而被化学粗糙化，使所述粗糙化的表面包括高度小于二十微米的多个微角锥，且经由移除增长的镀膜和化学蚀刻来恢复所述硅衬垫的粗糙程度。

11.根据权利要求10所述的基板处理系统，其中所述微角锥具有不同的高度。

12.根据权利要求10所述的基板处理系统，其中所述微角锥之间具有不同的间隙。