[发明专利]涂布于抗蚀剂图案的涂布液及反转图案的形成方法

权利要求书

1.一种涂布于抗蚀剂图案的涂布液，包含聚合物和溶剂，所述聚合物的重均分子量为500～3500，且具有下述式(1)所表示的结构单元和下述式(2)所表示的结构单元，所述溶剂以水作为主成分，

式中，R¹表示碳原子数1～8的有机基团，

所述以水作为主成分的溶剂中的水的浓度是90质量％～100质量％，在该溶剂包含水以外的成分的情况下，该成分是水溶性的有机溶剂。

2.根据权利要求1所述的涂布液，所述聚合物是下述式(3)所表示的化合物和下述式(4)所表示的化合物的共水解缩合物，

R¹Si(OX)₃ (3)

Si(OY)₄ (4)

式中，R¹表示碳原子数1～8的有机基团，X和Y分别独立地表示甲基或乙基。

3.根据权利要求1或2所述的涂布液，所述碳原子数1～8的有机基团选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、乙烯基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、环氧基和苯基。

4.根据权利要求1或2所述的涂布液，还包含选自马来酸、甲酸、乙酸、马来酸酐、草酸、柠檬酸和磷酸中的至少1种水溶性有机酸。

5.根据权利要求1或2所述的涂布液，所述聚合物的浓度是1质量％～10质量％。

6.根据权利要求1或2所述的涂布液，是冲洗液。

7.根据权利要求1或2所述的涂布液，所述聚合物的重均分子量为800～1000。

8.一种反转图案的形成方法，包含下述工序：

在形成有下层膜的基板上涂布正型的抗蚀剂溶液，进行预烘烤，从而形成抗蚀剂膜的工序；

将所述抗蚀剂膜进行曝光的工序；

将所述曝光后的抗蚀剂膜进行烘烤，然后用碱性显影液对该抗蚀剂膜进行显影，从而在形成有所述下层膜的基板上形成抗蚀剂图案的工序；

以至少填充所述抗蚀剂图案的图案间隙的方式涂布权利要求1～7中任一项所述的涂布液，除去或减少该涂布液中所包含的所述聚合物以外的成分和所述碱性显影液，从而形成涂膜的工序；

将所述涂膜进行回蚀，使所述抗蚀剂图案的表面露出的工序；以及

除去所述抗蚀剂图案的工序。

9.根据权利要求8所述的反转图案的形成方法，通过将涂布了所述涂布液的形成有所述下层膜的基板进行旋转干燥、或者该旋转干燥后进行加热，从而除去或减少该涂布液中所包含的所述聚合物以外的成分和所述碱性显影液。

10.根据权利要求8或9所述的反转图案的形成方法，除去所述抗蚀剂图案的工序是通过干蚀刻或灰化而进行的。

11.一种半导体装置的制作方法，包含以下工序：在利用权利要求8～10中任一项所述的方法形成反转图案之后，将该反转图案作为掩模，对形成有所述下层膜的基板进行蚀刻的工序。