[发明专利]贴合晶圆的制造方法有效

专利信息
申请号: 201480045780.X 申请日: 2014-07-15
公开(公告)号: CN105474358B 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 横川功;加藤正弘 申请(专利权)人: 信越半导体株式会社
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/265;H01L27/12
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 谢顺星;张晶
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 贴合 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种贴合晶圆的制造方法,其由接合晶圆的表面对氢离子、稀有气体离子或这些离子的混合气体离子进行离子注入,在晶圆内部形成离子注入层,再将所述接合晶圆的已注入离子的表面与基底晶圆的表面贴合后,利用热处理炉来进行已贴合的晶圆的剥离热处理,由此在所述离子注入层使所述接合晶圆剥离而形成贴合晶圆,所述贴合晶圆的制造方法的特征在于:

是使用具有切口部的晶圆作为所述接合晶圆和所述基底晶圆,在所述离子注入时,设定进行所述离子注入的离子注入机和离子注入条件中的任一者或两者,使得在所述接合晶圆的剥离时,已贴合的所述接合晶圆和所述基底晶圆的任一者或两者的切口部的位置,位于从所述接合晶圆的剥离开始位置起0±30度或180±30度的范围内的方法,作为所述离子注入机和所述离子注入条件中的任一者或两者的设定,从以下(1)~(3)中选择一项以上进行:

(1)在所述离子注入时,以下述方式将所述接合晶圆配置于所述离子注入机:使所述接合晶圆的切口部的位置或切口部的位置+180度的位置,成为因所述进行离子注入的离子注入机和离子注入条件而导致特定离子注入损伤在接合晶圆面内相对较大的位置;

(2)在所述离子注入时,相较于其它位置的离子注入量,增加所述接合晶圆的切口部的位置或切口部的位置+180度的位置的离子注入量;

(3)在所述离子注入时,将所述接合晶圆配置于散热座上,且使所述接合晶圆的切口部的位置或切口部的位置+180度的位置,与在离子注入时的所述散热座的热传导在所述接合晶圆面内相对较低的位置一致。

2.根据权利要求1所述的贴合晶圆的制造方法,其特征在于,所述散热座的热传导在所述接合晶圆面内相对较低的位置,是将材质设成相较于其它部分的热传导率较低的材质的部分。

3.根据权利要求1所述的贴合晶圆的制造方法,其特征在于,所述散热座的热传导在接合晶圆面内相对较低的位置,是将厚度设成相较于其它部分的厚度较厚的部分。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的贴合晶圆的制造方法,其特征在于,在所述剥离热处理时,以下述方式将所述已贴合的晶圆配置于所述热处理炉内:使所述接合晶圆和所述基底晶圆的任一者或两者的切口部的位置或切口部的位置+180度的位置,成为在所述已贴合的晶圆面内相对高温的位置。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的贴合晶圆的制造方法,其特征在于,所述切口部是凹槽。

6.根据权利要求4所述的贴合晶圆的制造方法,其特征在于,所述切口部是凹槽。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体株式会社,未经信越半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480045780.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top