[发明专利]导电膜及其制造方法

权利要求书

1.一种导电膜，包括：

多个凹槽单元，其水平剖面是以网格形式形成；以及多个单元格，其为由所述凹槽单元围绕的区域，

其中所述凹槽单元包含导电图案，所述导电图案的至少一部分经由分隔单元分隔而形成，

其中，在所述导电膜中，基于所述凹槽单元的底表面测量的所述分隔单元的水平剖面面积的总和为所述凹槽单元的水平剖面面积的总和的25％至60％，

其中，所述导电图案是以两个或更多个层形成，并且

一个层被用作粘合强度调节层或吸收层。

2.如权利要求1所述的导电膜，包括导电材料，所述导电材料设置于所述分隔单元上且与所述凹槽单元中的所述导电图案绝缘。

3.如权利要求1所述的导电膜，其中所述凹槽单元的最大深度为0.2μm至10μm。

4.如权利要求1所述的导电膜，其中所述凹槽单元的最大宽度为0.1μm至20μm。

5.如权利要求1所述的导电膜，其中所述网格形式包含借由横向延伸形成的凹槽单元、借由纵向延伸形成的凹槽单元及上述凹槽单元相交的交点。

6.如权利要求1所述的导电膜，其中所述分隔单元的水平剖面形状的边界包括直线、曲线、Z字形线或其组合。

7.如权利要求1所述的导电膜，其中所述分隔单元的水平剖面形状的边界包括波浪线。

8.如权利要求6所述的导电膜，其中所述分隔单元的所述水平剖面形状包括圆形、多边形、通过连接具有不同曲率半径的两个或更多个圆弧而形成的图形、通过连接至少一个圆弧与至少一条直线而形成的图形或上述形状的混合形式。

9.如权利要求6所述的导电膜，其中所述分隔单元的所述水平剖面形状包括四边形、三角形或椭圆形。

10.如权利要求1所述的导电膜，其中所述分隔单元的垂直剖面形状为平面形状、凸面形状或凹面形状。

11.如权利要求1所述的导电膜，其中所述分隔单元的垂直剖面形状的边界包括直线、曲线、Z字形线或其组合。

12.如权利要求1所述的导电膜，其中所述分隔单元的垂直剖面形状的边界包括波浪线。

13.如权利要求10所述的导电膜，其中所述分隔单元的所述垂直剖面形状为凸面形状，且所述分隔单元的最高点与所述凹槽单元的底表面之间的高度差为所述凹槽单元的深度的0.5倍至1倍。

14.如权利要求1所述的导电膜，其中所述单元格的水平剖面形状为圆形、椭圆形、多边形或上述形状的混合形式。

15.如权利要求1所述的导电膜，其中所述单元格的水平剖面形状为四边形或三角形。

16.如权利要求1所述的导电膜，其中所述分隔单元及所述单元格满足以下[式1]的关系：

[式1]

其中，所述水平剖面面积意指基于所述导电膜的最上表面测量的值。

17.如权利要求1所述的导电膜，其中通过经由所述分隔单元分隔而形成的所述导电图案的宽度为0.1μm至5μm。

18.如权利要求1所述的导电膜，其中通过借由连接不是经由所述分隔单元分隔形成的导电图案而形成的导电图案部分的宽度为0.2μm至10μm。

19.如权利要求5所述的导电膜，其中在所述交点处形成的所述导电图案具有连接所述交点的4个拐角的十字形状，且十字形的导电图案的宽度为0.1μm至10μm。