[发明专利]光照射装置有效
申请号: | 201480046358.6 | 申请日: | 2014-09-09 |
公开(公告)号: | CN105493235B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 羽生智行 | 申请(专利权)人: | 优志旺电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B08B7/00;G02F1/13;H01L21/304;H05K3/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 胡建新,朴勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 照射 装置 | ||
1.一种光照射装置,具备:被处理物支撑台,配置被处理物;紫外线灯,对上述被处理物的被处理面照射真空紫外线;以及光透射窗构件,配置在上述被处理物与上述紫外线灯之间,使来自该紫外线灯的真空紫外线透射,
上述光照射装置的特征在于,
上述被处理物的被处理面与上述光透射窗构件之间所形成的间隙的距离被设为1mm以下,设置有向该间隙沿着该被处理面朝向一个方向供给处理气体的气体供给机构,
在上述被处理物支撑台上的向上述处理气体的供给方向延伸、且不放置被处理物的区域,配设有遮风构件,
上述遮风构件具有能够使位于被处理物上间隙的两侧方的间隙的传导性比该被处理物上间隙的传导性小的形状,其可以抑制或防止处理气体在被处理物的被处理面上向气体供给方向以外的方向流动。
2.根据权利要求1所述的光照射装置,其特征在于,
上述遮风构件被设为与上述光透射窗构件接触的状态,与该光透射窗构件接触的部分由氟树脂形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于优志旺电机株式会社,未经优志旺电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480046358.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:产生二元半导体材料磊晶层的方法
- 下一篇:一种蒸馏器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造