[发明专利]二氧化硅磨粒、二氧化硅磨粒的制造方法和磁盘用玻璃基板的制造方法

权利要求书

1.一种磁盘用玻璃基板的制造方法，该制造方法具有研磨处理，所述研磨处理是向玻璃基板的主表面与研磨垫之间供给含有二氧化硅磨粒作为游离磨粒的研磨液从而对所述玻璃基板的主表面进行研磨，其中，

对于所述二氧化硅磨粒，

利用六甲基二硅氮烷将磨粒表面的硅烷醇基(Si-OH)三甲基硅烷基化后，利用核磁共振分光法²⁹Si-NMR进行测量，与OH直接结合的Si的光谱强度与仅与O直接结合的Si的光谱强度之比(Si-OH)/Si为0.4以上0.502以下。

2.如权利要求1所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其中，含有所述二氧化硅磨粒作为游离磨粒的研磨液为碱性。

3.如权利要求1或2所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其中，将所述研磨处理分为多个阶段进行，使用含有所述二氧化硅磨粒作为游离磨粒的碱性的研磨液，进行最终阶段的处理。

4.一种二氧化硅磨粒，其中，

利用六甲基二硅氮烷将磨粒表面的硅烷醇基(Si-OH)三甲基硅烷基化后，利用核磁共振分光法²⁹Si-NMR进行测量，与OH直接结合的Si的光谱强度与仅与O直接结合的Si的光谱强度之比(Si-OH)/Si为0.4以上0.502以下。

5.如权利要求4所述的二氧化硅磨粒，其中，所述比值(Si-OH)/Si为0.4以上0.5以下。

6.一种二氧化硅磨粒的制造方法，其为权利要求4或5所述的二氧化硅磨粒的制造方法，其包括：

使硅酸缩聚来生成二氧化硅的一次颗粒的处理、和

通过使所述一次颗粒彼此融合生长来生成二氧化硅的融合颗粒的处理。

7.如权利要求6所述的二氧化硅磨粒的制造方法，其中，通过使所述一次颗粒表面的硅烷醇基彼此缩聚来生成所述融合颗粒。

8.如权利要求6或7所述的二氧化硅磨粒的制造方法，其中，

在生成所述一次颗粒的处理中，通过在降低硅酸的水溶液的pH的同时进行加热，来促进硅酸的缩聚而生成含有所述一次颗粒的水溶液，

在生成所述融合颗粒的处理中，通过与生成所述一次颗粒的处理相比而降低含有所述一次颗粒的水溶液的pH，并且与生成所述一次颗粒的处理相比而提高含有所述一次颗粒的水溶液的温度，来促进所述融合颗粒的生成。

9.如权利要求8所述的二氧化硅磨粒的制造方法，其中，

在生成所述一次颗粒的处理中，在将硅酸的水溶液的pH降低至9以下的同时加热至90℃以上；

在生成所述融合颗粒的处理中，在将硅酸的水溶液的pH降低至8.6以下的同时加热至120℃以上。

10.如权利要求8所述的二氧化硅磨粒的制造方法，其中，

通过向所述硅酸的水溶液中添加阳离子交换树脂，来降低pH。

11.如权利要求10所述的二氧化硅磨粒的制造方法，其中，所述阳离子交换树脂为质子型阳离子交换树脂。