[发明专利]接近传感器系统及其操作方法

权利要求书

1.一种接近传感器系统，其包括：

光电检测器，其包括第一掺杂区、栅极、第二掺杂区和光吸收区，其中所述光吸收区包括至少一种材料，其中响应于入射在其上的光生成相反电荷的载流子对，其中所述第一掺杂区吸引具有第一电荷的所述载流子对的第一载流子，其中所述第二掺杂区吸引具有第二相反电荷的所述载流子对的第二载流子，且其中所述光电检测器生成指示所述接近传感器系统附近中存在对象的输出信号；

控制电路，其用于生成施加到所述光电检测器的多个控制信号，其中所述多个控制信号包括施加到所述光电检测器的所述第一掺杂区的第一控制信号、施加到所述光电检测器的所述栅极的第二控制信号以及施加到所述光电检测器的所述第二掺杂区的第三控制信号；其中施加的控制信号控制所述光电检测器的操作状态，其中所述控制电路通过为所述第一控制信号、所述第二控制信号和所述第三控制信号生成第一组相对电压振幅而将所述光电检测器置于检测状态，使得所述光电检测器处于不存在入射光时大致上无电流且存在入射光时有电流的正向偏置模式；和

信号检测器，其检测来自所述光电检测器的所述输出信号。

2.根据权利要求1所述的接近传感器系统，其中所述光电检测器的所述第一掺杂区由p型半导体形成且所述第二掺杂区由n型半导体形成。

3.根据权利要求1所述的接近传感器系统，其中所述控制电路通过为所述第一控制信号、所述第二控制信号和所述第三控制信号生成第二组相对电压振幅而将所述光电检测器置于非检测状态，使得所述光电检测器处于所述光电检测器中大致上无电流的反向偏置模式。

4.根据权利要求3所述的接近传感器系统，其中施加到所述第一掺杂区的第一电压振幅小于施加到所述第二掺杂区的第三电压振幅。

5.根据权利要求1所述的接近传感器系统，其中施加到所述第一掺杂区的第一电压振幅与施加到所述第二掺杂区的第三电压振幅不同达约1伏特。

6.根据权利要求1所述的接近传感器系统，其中增加所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的电场减小响应于所述入射光在所述光电检测器中的所述电流的时间。

7.根据权利要求1所述的接近传感器系统，其中减少所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的电场增加响应于所述入射光在所述光电检测器中的所述电流的时间。

8.根据权利要求1所述的接近传感器系统，其中所述控制电路施加所述控制信号以使所述光电检测器在非检测状态与所述检测状态之间交替。

9.根据权利要求8所述的接近传感器系统，其中所述控制电路通过生成所述第一控制信号、所述第二控制信号和所述第三控制信号的第二组相对电压振幅而将所述光电检测器置于所述非检测状态，使得所述光电检测器处于大致上无电流的反向偏置模式。

10.根据权利要求1所述的接近传感器系统，其还包括脉冲光源。

11.根据权利要求10所述的接近传感器系统，其中所述脉冲光源与所述光电检测器同步且在所述光电检测器处于所述检测状态时发射光。

12.一种使用根据权利要求11所述的接近传感器系统检测目标存在的方法，其中所述光源的所述发射与所述光电检测器中的电流的所述检测之间的时间，由于来自所述目标的入射反射光，用来检测所述目标的所述存在。

13.一种使用根据权利要求11所述的接近传感器系统检测目标的距离的方法，其中所述光源的所述发射与所述光电检测器中的电流的所述检测之间的时间，由于来自所述目标的入射反射光，用来确证所述目标的所述距离。