[发明专利]硅晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 201480046679.6 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105659367A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 古贺祥泰 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;C30B29/06;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/265;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢曼;刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 及其 制造 方法 | ||
1.硅晶片的制造方法，其特征在于，从硅晶片的正面以1.0×1013~3.0×1016atoms/cm2的剂量注入氢离子，形成所述氢离子固溶而成的吸杂层。
2.根据权利要求1所述的硅晶片的制造方法，其中，注入所述氢离子，以使所述硅晶片 的深度方向上的所述氢的浓度分布的峰位于距离所述正面不足1.0μm的范围内。
3.外延晶片的制造方法，其中，在权利要求1或2所述的硅晶片的所述正面上形成外延 层。
4.键合晶片的制造方法，其中，将权利要求1或2所述的硅晶片的所述正面隔着绝缘膜 与支撑衬底用晶片键合。
5.根据权利要求4所述的键合晶片的制造方法，其中，在所述键合之前，在所述支撑衬 底用晶片上形成所述绝缘膜。
6.硅晶片，其特征在于，其是具有吸杂层的硅晶片，所述吸杂层是形成于硅晶片正面侧 的、在该硅晶片中氢固溶而成的吸杂层，
其中，所述硅晶片深度方向上的所述氢的浓度分布的峰浓度为1.0×1018~1.0×1021atoms/cm3。
7.根据权利要求6所述的硅晶片，其中，所述氢的浓度分布的峰位于从所述硅晶片的正 面起深度小于1.0μm的范围内。
8.外延晶片，其是在权利要求6或7所述的硅晶片的所述正面上形成外延层而成的外延 晶片，
其中，在形成所述外延层之后，所述氢的浓度分布的峰浓度为7.0×1017atoms/cm3以 下，且所述吸杂层内具有捕获金属杂质的晶体缺陷。
9.键合晶片，其是将权利要求6或7所述的硅晶片的所述正面隔着绝缘膜与支撑衬底用 晶片键合而成的键合晶片，
其中，在所述键合之后，所述氢的浓度分布的峰浓度为7.0×1017atoms/cm3以下，且所 述吸杂层内具有捕获金属杂质的晶体缺陷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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