[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

将衬底搬入处理容器内的工序，所述衬底形成有具有低分子量的硅氮键的膜，并对所述膜实施了前烘；

以至少使所述低分子量的硅氮键的骨架结构变为氧化硅的方式，以所述前烘的温度以下的第一温度向所述衬底供给含氧气体的工序；

在供给所述含氧气体的工序之后，以高于所述第一温度的第二温度向所述衬底供给处理气体的工序，所述处理气体为包含水蒸气或过氧化氢的至少任一方的气体；

在供给所述处理气体的工序之后，在保持所述衬底的温度的状态下，将所述处理容器内排气直到成为低于供给所述处理气体的工序的压力的第一压力的工序；和

在对所述处理容器内进行排气的工序之后，在保持所述衬底的温度的状态下供给非活性气体直到所述处理容器内成为高于所述第一压力的第二压力的工序。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述含氧气体包含选自氧气、臭氧气体、一氧化氮气体、一氧化二氮气体中的至少任一种气体。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在供给所述含氧气体的工序中，在所述第一温度为使所述硅氮键的骨架结构变为氧化硅所必需的温度以上的条件下，向所述衬底供给所述含氧气体。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

供给所述处理气体的工序在供给所述含氧气体的工序之后进行，

在供给所述处理气体的工序中，一边供给所述含氧气体，一边供给所述处理气体。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，

在供给所述处理气体的工序之后，具有停止所述处理气体和所述含氧气体的供给、而供给含氮气体的退火工序。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在供给所述非活性气体的工序之后，具有使所述衬底降温的工序。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述第一温度为150℃以下，所述第二温度为250℃～400℃。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述具有硅氮键的膜为利用CVD法形成的膜。

9.一种衬底处理装置，其具有：

处理容器，收纳形成有具有低分子量的硅氮键的膜、并对所述膜实施了前烘工序的衬底；

含氧气体供给部，向所述处理容器内的所述衬底供给含氧气体；

处理气体供给部，向所述处理容器内的所述衬底供给处理气体，所述处理气体为包含水蒸气或过氧化氢的至少任一方的气体；

非活性气体供给部，向所述处理容器内供给非活性气体；

排气部，对所述处理容器内的气氛进行排气；

加热部，对所述衬底进行加热；

控制部，构成为控制所述含氧气体供给部、所述处理气体供给部、所述非活性气体供给部、所述排气部和所述加热部，以使得在不供给所述处理气体、而是供给所述含氧气体的状态下，以至少使所述低分子量的硅氮键的骨架结构变为氧化硅的方式，以所述前烘工序的温度以下的第一温度将所述衬底加热规定时间后，在供给所述处理气体的状态下，以高于所述第一温度的第二温度将所述衬底加热规定时间，以将所述衬底的温度维持为所述第二温度的状态，对所述处理容器内的气氛进行排气直到成为低于供给所述处理气体的状态的压力的第一压力，以将所述衬底的温度维持为所述第二温度的状态供给所述非活性气体直到所述处理容器内成为高于所述第一压力的第二压力。

10.如权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述控制部构成为控制所述含氧气体供给部，以使得在供给所述处理气体的状态下，在以所述第二温度将所述衬底加热规定时间期间，向所述衬底同时供给所述处理气体与所述含氧气体。