[发明专利]塑料模制半导体集成电路封装件的开封方法及开封装置在审
申请号: | 201480047035.9 | 申请日: | 2014-10-15 |
公开(公告)号: | CN105723502A | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 铃木智史 | 申请(专利权)人: | 日本科学技术株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/00 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;许伟群 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 塑料模 半导体 集成电路 封装 开封 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及用于开封诸如半导体集成电路那样由塑料封装而成的试样的开封方 法,尤其涉及利用药液开封这种封装件的方法及开封装置。
背景技术
关于利用塑料而模制的半导体集成电路封装件(以下称为“半导体装置”),为了进 行不合格产品的故障分析或合格产品的制造过程的状态确认等,而将用于成型的塑料融化 而移除来进行开封。
以往,使用硝酸、硫酸或它们的混合液来开封利用塑料而模制的半导体集成电路 封装件。
为了不合格分析,需要仅将用于模制的塑料溶解,而尽量防止对于接合线、引线框 架、封装基板等封装基板所用的金属的损伤。然而,若采用硝酸、硫酸或它们的混合液来开 封封装件,则存在硝酸、硫酸或它们的混合液甚至使接合线等用于封装基板的金属都发生 溶解的问题。
即,以往,金(Au)用于接合线,镍(Ni)和铁(Fe)的合金用于引线框架的情况居多, 因此对氧化性强的酸也具有充分的抗性,然而近来开发出从散热性、成本方面考虑的铜 (Cu)、银(Ag)的接合线。这些金属因易溶解于硝酸等,若采用硝酸、硫酸或它们的混合液来 开封封装件,则硝酸、硫酸或它们的混合液甚至会使接合线等用于封装基板的金属都融化, 因而会对不合格分析造成妨碍。另外,用于成型的塑料也逐渐使用更加难以溶解的材质,因 此半导体装置的开封越来越困难。
(现有技术文献)
(专利文献)
专利文献1:日本特开平6-21130号公报
发明内容
(发明要解决的问题)
因此,本发明提供一种试样的开封方法及开封装置,可防止用于开封的药液致使 接合线等封装基板所用的金属造成损伤。
(解决问题的措施)
本发明的技术方案1所涉及的发明是一种塑料模制件开封方法,用于将利用塑料 而模制的半导体装置开封,其特征在于,使用使金属溶于含酸的液体而制成的药液将模制 的半导体装置开封。
本发明的技术方案2所涉及的发明的特征在于,金属为铜、银或其他溶于酸的金 属。
本发明的技术方案3所涉及的发明的特征在于,在药液中,金属处于饱和度70%以 上的状态。
本发明的技术方案4所涉及的发明的特征在于,金属的材质与模制的半导体装置 的接合线的材质相同。
本发明的技术方案5所涉及的发明的特征在于,含酸的液体为硫酸溶液、硝酸溶液 或硫酸和硝酸的混合溶液。
本发明的技术方案6所涉及的发明的特征在于,药液在10度至250度之间使用。
本发明的技术方案7所涉及的发明是一种塑料模制件开封装置,用于将利用塑料 而模制的半导体装置开封,其特征在于,使用使金属溶于含酸的液体而制成的药液将模制 的半导体装置开封。
本发明的技术方案8所涉及的发明的特征在于,金属为铜、银或其他溶于酸的金 属。
本发明的技术方案9所涉及的发明的特征在于,在药液中,金属处于饱和度70%以 上的状态。
本发明的技术方案10所涉及的发明的特征在于,金属的材质与模制的半导体装置 的接合线的材质相同。
本发明的技术方案11所涉及的发明的特征在于,含酸的液体为硫酸溶液、硝酸溶 液、或硫酸和硝酸的混合溶液。
本发明的技术方案12所涉及的发明的特征在于,药液在10度至250度之间使用。
(发明效果)
根据本发明,可防止用于开封的药液致使接合线等用于封装基板的金属发生损 伤。
附图说明
图1为示出本发明的实施方式的塑料模制件开封装置的整体图。
图2为示出常温下的铜的溶解容量比的图表。
图3为示出常温下变更浓硫酸和发烟硝酸的混合比的情况时的银的溶解容量比的 图表。
图4为示出本发明第一实施例的铜的溶解容量比的图表。
图5为示出本发明第二实施例的银的溶解容量比的图表。
图6为用于说明根据本发明实施方式的塑料模制件开封方法制备药液的一实施例 的流程图。
图7为示出常温下的铜饱和度和铜溶解120分钟时的溶解容量比的图表。
图8为示出本发明的实施方式的塑料模制件开封装置的开封方法的一实施例的 图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造