[发明专利]n型SiC单晶及其制造方法有效
| 申请号： | 201480047230.1 | 申请日： | 2014-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN105492667B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 白井嵩幸 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 及其 制造 方法 | ||
1.n型SiC单晶，其为包含锗和氮的n型SiC单晶，其中，
所述锗与所述氮的密度比[Ge/N]满足0.17＜[Ge/N]＜1.60的关系，
所述氮的密度[N]满足1.00×1019个/cm3≤[N]≤1.00×1020个/cm3的关系，
所述锗的密度[Ge]满足1.70×1018个/cm3＜[Ge]＜1.60×1020个/cm3的关系。
2.权利要求1所述的n型SiC单晶，其中，所述锗与所述氮的密度比[Ge/N]满足0.24≤[Ge/N]≤0.83的关系。
3.n型SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触以使n型SiC单晶晶体生长的n型SiC单晶的制造方法，其包括：
在用于形成所述Si-C溶液的原料或所述Si-C溶液中添加氮化物和金属锗的工序；和
使包含锗和氮的n型SiC单晶生长的工序，其中，所述锗与所述氮的密度比[Ge/N]满足0.17＜[Ge/N]＜1.60的关系，所述氮的密度[N]满足1.00×1019个/cm3≤[N]≤1.00×1020个/cm3的关系，所述锗的密度[Ge]满足1.70×1018个/cm3＜[Ge]＜1.60×1020个/cm3的关系。
4.权利要求3所述的制造方法，其中，所述氮化物为选自氮化铬、氮化硅、氮化锗、氮化钛和氮化镍中的至少一者。
5.权利要求3或4所述的制造方法，其中，以将包含所述氮和所述锗的Si-C溶液的总量作为基准的氮原子换算量计，所述氮化物的添加量为0.12原子％以上。
6.权利要求3或4所述的制造方法，其中所述Si-C溶液的表面温度为1800℃～2200℃。
7.权利要求5所述的制造方法，其中所述Si-C溶液的表面温度为1800℃～2200℃。
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