[发明专利]来自溶液处理的无机半导体的空气稳定红外光探测器有效
申请号: | 201480047458.0 | 申请日: | 2014-08-29 |
公开(公告)号: | CN105493295B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 弗兰基·索;耶西·罗伯特·曼德斯;陈宋;埃里克·D·克隆普;赖昌汉;曾赛永 | 申请(专利权)人: | 佛罗里达大学研究基金会有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;苏虹 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属氧化物 光探测器 光活性层 红外光探测器 金属氧化物层 无机纳米颗粒 电子阻挡层 空穴阻挡层 无机半导体 电磁辐射 电子传输 红外区域 空穴传输 纳米颗粒 溶液处理 光谱 封装 半导体 响应 | ||
1.一种光探测器,包括:
包含具有第一直径的半导体无机纳米颗粒的光活性层;
包含第一金属氧化物的空穴传输层;以及
包含具有与所述第一直径类似尺寸的第二直径的第二金属氧化物的纳米颗粒的电子传输层,
其中所述半导体无机纳米颗粒能够响应于光谱的至少红外区域中的电磁辐射,其中所述光活性层被设置在所述空穴传输层与所述电子传输层之间,并且与所述电子传输层接触,其中在没有外部封装涂层的情况下所述光探测器在空气中是稳定的。
2.根据权利要求1所述的光探测器,其中所述光探测器具有在至少120天的时段中相对标准偏差小于5%的外量子效率,其中所述光探测器在所述时段期间暴露于空气。
3.根据权利要求1所述的光探测器,其中所述空穴传输层是空穴传输电子阻挡层。
4.根据权利要求1所述的光探测器,其中所述电子传输层是电子传输空穴阻挡层。
5.根据权利要求1所述的光探测器,其中所述第一金属氧化物是NiO。
6.根据权利要求1所述的光探测器,其中所述第二金属氧化物是ZnO或TiO2。
7.根据权利要求1所述的光探测器,其中所述第二金属氧化物是ZnO。
8.根据权利要求1所述的光探测器,其中所述半导体无机纳米颗粒包括铅的硫属元素化物、铅的硫属元素化物的合金、汞的硫属元素化物、汞的硫属元素化物的合金、基于铟和/或镓的III-V族半导体、硅、或其任意组合。
9.根据权利要求1所述的光探测器,其中所述半导体无机纳米颗粒包含PbS或PbSe。
10.根据权利要求1所述的光探测器,其中所述半导体无机纳米颗粒能够响应于电磁光谱的可见和红外区域中的电磁辐射。
11.根据权利要求1所述的光探测器,还包括空穴提取层。
12.根据权利要求11所述的光探测器,其中所述空穴提取层包含氧化钼(MoO3)、氧化钨(WO3)和/或氧化钒(V2O5)。
13.根据权利要求1所述的光探测器,还包括在所述光探测器的光入射面上的滤光器。
14.根据权利要求13所述的光探测器,其中所述滤光器去除所述电磁光谱的紫外区域中的电磁辐射的至少一部分。
15.一种制备根据权利要求1所述的光探测器的方法,包括:
提供包括电极的基底;
在所述电极上沉积第一金属氧化物前体的第一溶液或多个金属氧化物颗粒的第一悬浮体;
从所述第一溶液或第一悬浮体中去除溶剂,以形成包含所述第一金属氧化物的第一层;
在所述第一层上沉积半导体无机纳米颗粒的胶体悬浮体;
从半导体无机量子点的胶体悬浮体中去除所述溶剂,以形成包含具有第一直径的半导体无机量子点的光活性层;
在所述光活性层上沉积第二金属氧化物前体的第二溶液或多个金属氧化物颗粒的第二悬浮体;以及
从所述第二溶液或第二悬浮体中去除所述溶剂,以形成包含具有与所述第一直径类似尺寸的第二直径的所述第二金属氧化物的纳米颗粒的第二层。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述电极是阳极,包含第一金属氧化物的所述第一层是空穴传输电子阻挡层,包含第二金属氧化物的所述第二层是电子传输空穴阻挡层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的