[发明专利]半导体晶片的研磨方法及研磨装置

说明书

具备研磨工序、测量工序、研磨条件设定工序，在所述研磨工序中借助研磨机构（1）研磨半导体晶片（W），在所述测量工序中，在研磨后的前述半导体晶片（W）的研磨面变成亲水面之前，借助测量机构（3）测量前述半导体晶片（W）的形状，在所述研磨条件设定工序中，借助研磨条件设定机构（51），基于前述半导体晶片（W）的形状的测量结果，设定前述研磨工序中的研磨条件。

技术领域

本发明涉及半导体晶片的研磨方法及研磨装置。

背景技术

通常，半导体晶片的研磨分成多级来实施。具体而言，大致分成以半导体晶片的高平坦度化为目的的粗研磨、与以降低表面粗糙度为目的的精研磨。而且，为了高精度地进行这种半导体晶片的研磨，进行了探讨（例如，参照专利文献1）。

在记载于专利文献1的方法所使用的双面研磨装置中，发出平行光线的发光部与接受平行光线的感光部配置成与内齿轮相对置。

在这种双面研磨装置中，若载具及被插入至该载具的载具孔的半导体晶片进入发光部与感光部的光线透过区域，则平行光线照射于从上下压板所露出的载具及半导体晶片。借助该平行光线的照射，由感光部检测半导体晶片的影子，由感光部所检测出的影像的厚度直接作为半导体晶片的厚度被测量。而且，若感光部检测出影像的厚度达到目标值，则上下压板的转动停止。

专利文献1：日本特开平11-285969号公报。

可是，在专利文献1所记载的方法中，在研磨中进行测量，所以产生因下述扰乱导致测量精度降低的不良情况，所述扰乱为研磨装置的振动、由环境温度引起的发光部或感光部的固定部的膨胀、研磨液的水滴向半导体晶片的附着等。

为了消除这种不良情况，考虑下述方法：在研磨结束后从研磨装置取出半导体晶片，借助形状测量装置测量半导体晶片，将该测量结果反馈至下次以后的研磨。

在使用上述形状测量装置的方法中，需要在形状测量前洗净半导体晶片来使测量面变得清洁，并且使其干燥。然后，对清洁且干燥的表面进行由形状测量装置进行的测量。

可是，若水滴残留于半导体晶片，则在测量时产生扰乱等，产生测量精度变低的不良情况。因此，需要另外检查水滴是否残留，此外，因为在水滴残留的情况下增加除去水滴的作业，所以产生从研磨结束至反馈的时间变长的其它不良情况。

发明内容

本发明的目的是提供能够高精度地进行半导体晶片的研磨的半导体晶片的研磨方法及研磨装置。

本发明的半导体晶片的研磨方法的特征在于具备研磨工序、测量工序和研磨条件设定工序，在前述研磨工序中研磨半导体晶片，在前述测量工序中，在研磨后的前述半导体晶片的研磨面变成亲水面之前，测量前述半导体晶片的形状，在前述研磨条件设定工序中，基于前述半导体晶片的形状的测量结果，设定前述研磨工序中的研磨条件。

研磨后的半导体晶片的研磨面是疏水面的状态，若在空气中或水中保持一定时间，则变成亲水面。

若半导体晶片的研磨面变成亲水面，则水滴有残留，在测量工序中，无法测量研磨后的半导体晶片的形状。

因此，在本发明中，在研磨后的半导体晶片变成亲水面之前，即在疏水面的状态下，进行半导体晶片的形状测量。由此，不会产生测量误差，能够高精度地测量研磨后的半导体晶片的形状。而且，基于该测量结果，设定下次的研磨工序的研磨条件。这样，能够将研磨后的测量结果迅速地反馈至下次的研磨工序的研磨条件，所以结果，能够制造高精度的平整的半导体。

此外，在本发明的半导体晶片的研磨方法中，优选地，具备浸泡工序、捞起工序，在前述浸泡工序中，在进行前述测量工序之前，将研磨后的前述半导体晶片浸泡于有机酸水溶液，在前述捞起工序中，在前述浸泡工序中的浸泡时间超过60分钟之前，将前述半导体晶片从前述有机酸水溶液捞起。