[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，在支承基板上具有n型半导体层、p型半导 体层、形成在上述n型半导体层以及上述p型半导体层之间的发光层，所述 半导体发光元件的特征在于，具备：

n侧电极，形成为底面与上述n型半导体层的上表面接触；

反射电极，上表面与上述p型半导体层的底面接触，并形成在包含上 述n侧电极形成部位的正下位置的区域；以及

第1绝缘层，在上述n侧电极形成部位的正下位置，形成为上表面与上 述反射电极的底面接触。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

上述反射电极的上表面的全部与上述p型半导体层的底面接触。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

在上述n侧电极形成部位的正下位置具备形成在由上述反射电极和上 述p型半导体层夹着的位置的第2绝缘层，

上述第2绝缘层与位于该第2绝缘层的正上的上述n侧电极相比，在与 上述支承基板的基板面平行的方向上宽度窄。

4.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，

上述反射电极在上表面除了形成有上述第2绝缘层的区域，上表面的 全部均与上述p型半导体层的底面接触。

5.如权利要求1-4中任意一项所述的半导体发光元件，其特征在 于，

上述n型半导体层、上述p型半导体层以及上述发光层均由氮化物半导 体层形成。