[发明专利]从陶瓷基体复合材料去除阻隔涂层、粘合涂层和氧化物层的方法

权利要求书

1.一种从陶瓷基体复合材料去除粘合涂层的方法，所述方法包含：使包含粘合涂层的陶瓷基体复合材料与至少一种氢氧化物接触，经过使所述氢氧化物反应所必需的足够时间；而从所述陶瓷基体复合材料去除所述粘合涂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中从所述陶瓷基体复合材料去除基本所有粘合涂层，而不损伤所述陶瓷基体复合材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述氢氧化物选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、氢氧化锂和四甲基氢氧化铵。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述氢氧化物是氢氧化钠。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述陶瓷基体复合材料包含非氧化物基体中的氧化物或非氧化物纤维。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述陶瓷基体复合材料包含SiC基体中的SiC纤维、含硅化物基体中的SiC纤维、Si-SiC基体中的SiC纤维、碳基体中的碳纤维、SiC基体中的碳纤维或SiC基体中的氧化铝纤维。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述陶瓷基体复合材料包含Si-SiC基体中的SiC纤维。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述粘合涂层包含硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述氢氧化物包含至少5重量%的氢氧化物且余量基本为水。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述氢氧化物包含10重量%-40重量%的氢氧化钠。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触和去除步骤在高于环境的升高的温度和压力下进行。

12.根据权利要求11所述的方法，其中升高的温度为至少120℃且升高的压力为0.1-1MPa。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述氢氧化物为处于至少50℃的温度的溶液。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述接触和去除步骤与对所述溶液提供超声能同步进行。

15.根据权利要求1所述的方法，其中使具有阻隔涂层和/或粘合涂层的陶瓷基体复合材料与氢氧化物接触30秒或更多。

16.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在与所述氢氧化物接触的步骤后，使所述陶瓷基体复合材料与水在比所述氢氧化物的温度低的温度下接触的步骤。

17.根据权利要求1所述的方法，其中将涂布基材浸没在容纳于向环境大气敞开的容器内的苛性碱液体中。

18.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含从所述陶瓷基体复合材料去除氧化物层。

19.从陶瓷基体复合材料去除阻隔涂层的方法，所述方法包含：使涂布的陶瓷基体复合材料与包含至少一种氢氧化物的苛性碱液体接触，经过所述液体化学侵蚀阻隔涂层下面的粘合涂层所必需的足够时间，导致所述阻隔涂层从所述陶瓷基体复合材料分离，从而去除阻隔涂层。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述氢氧化物选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、氢氧化锂和四甲基氢氧化铵。

21.根据权利要求19所述的方法，其中所述液体为氢氧化钠。